电子背散射衍射(Electron Back Scatter Diffraction, EBSD)是一项在扫描电镜中获得样品晶体学信息的技术。EBSD利用背散射电子衍射,获取晶体取向(crystal orientation)、晶界取向差(grain boundary misorientations),物相等晶体学信息。EBSD保留了扫描电子显微镜的特点,与金相、XRD、SEM等表征手段相比,其可获取更为丰富、精度...
衍射花样的解读，使得科学家能够深入理解材料的晶体特性，包括其对称性、晶格常数和晶体取向等，这对于材料的设计、加工和应用至关重要。通过SEM中的衍射分析，研究人员能够更精确地控制材料的微观结构，优化其宏观性能。电子背散射衍射（EBSD）技术的核心在于对晶体材料的微观结构进行精确分析。在这一过程中，标定率是一...
当入射电子束进入样品后，会受到样品内原子的散射，其中有相当部分的电子因散射角大逃出样品表面，这部分电子称为背散射电子。背散射电子在离开样品的过程中与样品某晶面族满足布拉格衍射条件 2dsinθ =λ 的那部分电子会发生衍射，形成两个顶点为散射点、与该晶面族垂直的两个圆锥面，两个圆锥面与接收屏交截后形...
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1.电子背散射衍射分析技术(EBSD/EBSP)20世纪90年代以来,装配在SEM上的电子背散射花样(Electron Back-scattering Patterns,简称EBSP)晶体微区取向和晶体结构的分析技术取得了较大的发展,并已在材料微观组织结构及微织构表征中广泛应用。 该技术也被称为电子背散射衍射(Electron Backscattered Diffraction,简称EBSD)或取向成...
一、背散射电子衬度原理及其应用 背散射电子的信号既可用来进行形貌分析，也可用于成分分析。在进行晶体结构分析时，背散射电子信号的强弱是造成通道花样衬度的原因。背散射电子形貌衬度特点 用背散射电子信号进行形貌分析时，其分辨率远比二次电子低，因为背散射电子是在一个较大的作用体积内被入射电子激发出来的，...
背散射电子（Backscattered Electrons, BSE）是扫描电子显微镜（Scanning Electron Microscope, SEM）分析中不可或缺的信号之一，它们为研究者提供了丰富的样品表面组成和结构信息。背散射电子的产生源于入射电子与样品原子核的相互作用，这种作用主要表现为弹性散射或非弹性散射。在材料科学、地球科学、生物学和医学研究等...
1973年，在扫描电镜上用电子背散射衍射花样对材料进行晶体学研究，开辟了 EBSD 在材料科学方面的应用。20 世纪 80 年代后期， 使用荧光屏和电视相机接收与采集电子背散射衍射花样。20 世纪 90 年代，实现了花样的自动标定。随着数码相机、计算机和软件的快速发展，现在的商品 EBSD 实现了从花样的接收、采集到标定完全...
通常用于 EBSD 制样的机械抛光、电解抛光和振动抛光等方法，均可制备出用于背散射成像观察的样品。采用离子研磨抛光仪，可以获得大面积的 ECCI 图像观察区域。参考文献 I. Gutierrez-Urrutia, D. Raabe, Dislocation and twin substructure evolution during strain hardening of an Fe–22wt.% Mn–0.6wt.% C ...