背散射电子(BSE)是扫描电子显微镜(SEM)中由入射电子与样品相互作用后逸出的高能电子,其产生与原子序数密切相关,可用于分析元素分布、表面形貌及晶体学特性。其能量通常高于50eV,发射深度在10nm至1μm之间,且方向具有随机性。以下从定义、特性、应用等方面展开说明。 一、定义与产生机制 背散射...
1. 卢瑟福散射：这是一种单次散射事件，其中入射电子被样品中的原子核散射，导致其方向发生显著改变，形成背散射电子。这种散射与原子核的库仑场有关，散射角度可以非常大，使得电子能够从样品表面逸出。2. 多重散射：这是由一系列小角度散射事件组成的，每次散射都是入射电子在通过原子核周围的电子云时受到的静电排...
01—EBSD原理简介 EBSD系统主要部件图 电子背散射衍射(EBSD,Electron Backscatter Diffraction)是一种结合晶体微区取向和晶体结构组织的分析方法,已广泛应用于材料微观组织结构和微织构表征。要使用EBSD系统,…
当入射电子束进入样品后,会有部分电子因散射角大而从样品表面逸出,这些逸出的电子称为背散射电子。在这些逸出电子中,满足布拉格衍射条件(2dsinθ=nλ)的电子会发生衍射,EBSD利用这些电子的衍射得到一系列菊池花样。根据菊池花样的特点得出晶面间距 d 和晶面之间的夹角 θ,从数据库中查出可能相关的晶体结构和晶胞参数;...
当入射电子束进入样品后，会有部分电子因散射角大而从样品表面逸出，这些逸出的电子称为背散射电子。在这些逸出电子中，满足布拉格衍射条件（2dsinθ=nλ）的电子会发生衍射，EBSD利用这些电子的衍射得到一系列菊池花样。根据菊池花样的特点得出晶面间距 d 和晶面之间的夹角 θ，从数据库中查出可能相关的晶体结构和晶胞...
背散射电子back scattered electron电子射入试样后,受到原子的弹性和非弹性散射,有一部分电子的总散射角大于900,重新从试样逸出,称为背散射电子,这个过程称为背散射。 背散射电子是由样品反射出来的初次电子,其主要特点是:能量很高,有相当部分接近入射电子能量E0,在试样中产生的范围大,像的分辨率低。背散射电子发射...
电子背散射衍射技术（EBSD）是一种先进的材料表征方法，它能够精确地分析材料的晶体取向和微观结构。这项技术已经成为材料科学领域中不可或缺的工具，用于揭示材料的微观织构和晶体学特性。要实施EBSD分析，需要使用配备有EBSD系统的扫描电子显微镜。这一系统的核心组件包括一个高灵敏度的CCD相机，用于捕捉电子背散射产生...
一、背散射电子衬度原理及其应用 背散射电子的信号既可用来进行形貌分析，也可用于成分分析。在进行晶体结构分析时，背散射电子信号的强弱是造成通道花样衬度的原因。背散射电子形貌衬度特点 用背散射电子信号进行形貌分析时，其分辨率远比二次电子低，因为背散射电子是在一个较大的作用体积内被入射电子激发出来的，...
1.电子背散射衍射分析技术(EBSD/EBSP)20世纪90年代以来,装配在SEM上的电子背散射花样(Electron Back-scattering Patterns,简称EBSP)晶体微区取向和晶体结构的分析技术取得了较大的发展,并已在材料微观组织结构…
背散射电子衍射(EBSD)形成原理：电子背散射衍射仪一般安装在扫描电镜或电子探针上。样品表面与水平面呈 70° 左右。当入射电子束进入样品后，会受到样品内原子的散射，其中有相当部分的电子因散射角大逃出样品表面，这部分电子称为背散射电子。背散射电子在离开样品的过程中与样品某晶面族满足布拉格衍射条件 2dsinθ ...