PN结是由P型半导体和N型半导体接触形成的。结深这个概念主要在太阳能电池的PN结里面提到的比较多，因为晶体硅电池的PN结是在P型沉底的硅片上表面上扩散一层很薄的N型半导体一般只有0.3-0.5um 这个N型薄层的厚度就叫做结深！
不是。结深和扩散深度在半导体材料和器件中都有重要作用，但它们表示的是不同的概念。结深关注的是p-n结的形成，而扩散深度关注的是杂质或掺杂元素的扩散过程。
1.红外成像法 红外成像法是一种无损检测方法,它基于热辐射原理,将电池组件暴露在红外辐射源下,利用红外摄影机记录电池面部温度分布情况,从而测量结深。通过此方法可以非常快速、准确地测量电池组件的结深,具有成本低、实时性好等优点。 2.割片法 割片法是将电池组件切割成薄片,目视观察p-n结的位...
扩散结深定义为从硅中表面到扩散层浓度等于衬底浓度处之间的距离,一般以微米为单位计量 结深的测量，通常在100mlHF（49%）加几滴HNO3d的混合液中对磨斜角（1°～5°）的样品做化学染色，有时只要HF就够了。如果样品置于强光下照一两分钟，P型区要比n型区染色重。利用Tolansky干涉条纹技术，可精确测量0.5...
百度试题 结果1 题目问答题 什么是结深?相关知识点: 试题来源: 解析 正确答案:硅片中p型杂质和n型杂质相遇的深度被称为结深。反馈 收藏
结深定义为从硅中表面到扩散层浓度等于称底浓度处之间的距离,一般以微米为单位计量 结深的测量，通常在100mlHF（49%）加几滴HNO3d的混合液中对磨斜角（1°～5°）的样品做化学染色，有时只要HF就够了。如果样品置于强光下照一两分钟，P型区要比n型区染色重。利用Tolansky干涉条纹技术，可精确...
所谓结深单位是从硅中表面到扩散层浓度等于称底浓度处之间的距离，一般以微米为单位计量。光伏电池片的厚度通常用结深为单位，一般控制在0.2-0.5μm的结深。
先来说说啥是太阳能电池内扩层的结深。简单理解呢,就像是在太阳能电池这个小世界里,有一个特定的深度区域,这个区域对电池的性能有着重要的影响。再讲讲复合,在太阳能电池里,复合就是指一些载流子,就像一个个小工人,本来应该好好工作,把光能转化成电能,但是呢,它们半途而废,重新组合在一起,不再参与电能的转换,...
在sprocess中,可以使用select、slice和interpolate命令提取结深。 代码如下: select z= "BTotal-AsTotal" slice y=0 interpolate silicon value= 0.0 select 选择数据集,可选择单一的变量,也支持变量之间的运算。本例中使用硼的总掺杂(BTotal)减去砷的总掺杂(AsTotal)作为变量。 slice 切片命令,给器件切一刀,...