结深过浅会导致基极和发射极之间的电容过大,影响三极管的输入阻抗和高频特性;结深过深则会使三极管的输入输出特性发生畸变,影响其线性度和动态范围。 二、结深对频率响应的影响 三极管的频率响应是指在输入信号变化时,输出信号的变化速度和延迟时间。结深较小的三极管具有快速响应、高频特性优良的特点,而结深较大的...
1.电池片材料的吸收系数。不同类型的电池片材料吸收太阳能的效果是不同的,对光的吸收系数不同,因而对结深的影响也是不同的。 2.太阳光的波长。太阳光的波长越短,电池片的吸收深度就越大,因此低波长的紫外线和可见光可以使电池片的结深更深。 3.电池片的厚度。电池片的厚度越大,...
半导体放大系数受发射结注射效率和基区输运系数两个因素影响。发射结注射效率主要取决于发射区与基区的掺杂浓度比值，发射区掺杂浓度高，基区掺杂浓度低，注射效率越高。基区输运系数则主要受基区宽度影响，基区越窄放大系数越高，但需考虑击穿电压。基区宽度由基区扩散结深与发射结结深之差确定，发射结...
摘要：本⽂研究了单晶硅⽚不同的基体电阻率，对扩散后⽅块电阻、表⾯浓度和结深的影响，采⽤四探针测试法测定了发射极的⽅块电阻，结果显⽰基体电阻率越⾼，扩散后的⽅阻越⾼，采⽤电化学电压电容（ECV）测量⽅法测量了发射极表⾯浓度与结深的变化， ECV测量的结果表明了电阻率⾼的硅⽚...
离子注入结深的参数影响分析中国新技术新产品2020no6下31高新技术剂量对离子注入结深的影响结深离子注入剂量cm20302502015010050图1离子注入剂量对结深的影响由表1的数据可以看出在离子注入能量不变的情况下随着离子注入剂量的增加结深增加但最开始的增加幅度比较大剂量越大结深增加的越不明显 离子注入结深的参数影响...
2、扩散后表面浓度和结深变化与基体电阻率呈反比,所以高电阻率硅片对应的扩散后方块电阻会越高; 3、这种变化趋势对于优化扩散工艺,提高电池性能的均匀性和集中性,具有指导意义; 4、对于电阻率影响发射极表面浓度和结深的机理,有待进一步验证。 参考文献 [1] Michell M,Bernd R,Wolf gang, et al.18.1%efficiency...
摘要:本文研究了单晶硅片不同的基体电阻率,对扩散后方块电阻、表面浓度和结深的影响,采用四探针测试法测定了发射极的方块电阻,结果显示基体电阻率越高,扩散后的方阻越高,采用电化学电压电容(ECV)测量方法测量了发射极表面浓度与结深的变化, ECV测量的结果表明了电阻率高的硅片扩散后表面浓度低、结深越小,是扩散后...
注入系统中剩余气体分子与B_2~+离子的碰撞,造成了不同能量的BF~+,F~+,B~+离子束对BF_2~+注入束的沾污.注入样品的SIMS分析结果和理论计算都证明,这种沾污使BF_2~+注入的结深明显增加,不利于浅结的制备.用静电束过滤器可部分消除这些沾污束,在先加速后分析的注入机中,也未观察到BF_2~+束的沾污.此外,提...
基于Silvaco二维数值仿真研究了p-n结结深对台面型In Sb光伏型探测器串音和量子效率的影响,通过分析探测器中横向电场分布、纵向电场分布、复合速率分布等与p-n结结深的相关性,揭示了p-n结结深影响探测器的串音和量子效率的内在物理机制,并获得了对探测器优化设计有指导意义的研究结论。关键...