解析 当N个原子相互靠近形成晶体时原来一个能级分裂成N个很接近的新级由于晶体中原子数N很大所形成的N个新能级中相邻两能级间能量差很小可以看成是连续的因此这N个能级所形成的一定能量范围称为能带。两个相邻能带之间有一个不存在电子稳定能态的能量区域称为禁带晶体的价带中能级没有全部被电子填满的能带称为导...
在半导体材料中,价带是指电子填满的最高能级带,这些电子与原子紧密结合,不易移动。而导带则位于价带之上,是电子可以自由移动的能带。介于价带与导带之间的能量区间被称为禁带,它是电子无法存在的能量范围。禁带的宽度对半导体的导电性能有着决定性影响,宽度越窄,电子越容易在较低电压下从价带跃迁到导带,从而提升半导体...
半导体的反向耐压,正向压降都和禁带宽度有关。 1.2 禁带宽度的物理意义 禁带宽度是半导体的一个重要特征参量,其大小主要决定于半导体的能带结构,即与晶体结构和原子的结合性质等有关。 半导体价带中的大量电子都是价键上的电子[1],不能够导电,即不是载流子。只有当价电子跃迁到导带(即本征激发)而产生出自由电子和...
半导体的反向耐压,正向压降都和禁带宽度有关。 1.2禁带宽度的物理意义 禁带宽度是半导体的一个重要特征参量,其大小主要决定于半导体的能带结构,即与晶体结构和原子的结合性质等有关。 半导体价带中的大量电子都是价键上的电子[1],不能够导电,即不是载流子。只有当价电子跃迁到导带(即本征激发)而产生出自由电子和...
导带是半导体中未被电子占据的较低能带。当价带中的电子跃迁至导带时,它们就可以在材料中自由移动,形成电流。导带与价带之间的能量差,即禁带宽度,是决定半导体导电性能的关键因素。 综上所述,禁带、导带和价带是半导体物理中的基础概念,它们共同决定了半导体的导电性能。通过理解和调控这...
解析 单原子中电子绕核运动,各轨道上电子具有特定能量; 越靠近核的轨道,电子能量越低; 根据能量最小原理,电子优先占有最低能级;价电子所占据的能带称为价带; 价带的上面有一个禁带,禁带中不存在为电子所占据的能级; 导带能级是价电子挣脱共价键束缚成为自由电子所能占据的能级。
禁带:导带底与价带顶之间能带 (forbidden band) 带隙:导带底与价带顶之间的能量差 (band gap) 禁带宽度 有效质量是将晶体中电子的加速度与外加的作用力联系起来,并且包含了晶体中的内力作用效果,有效质量并不代表真正的质量,而是代表能带中电子受外力时,外力与加速度的一个比例系数。
对于半导体,所有价电子所处的能带是所谓价带,比价带能量更高的 能带是导带。在绝对零度温度下,半导体的价带(valence band)是满带(见掘带理论),受到光电注入或热激发后,价带中的部分电子会越过禁带(forbidden band/band gap)进入能量较高的空带,空带中存在电子后即成为导 电的能帶一一导带。 B导带的涵义: 导带...
对于半导体,所有价电子所处的能带是所谓价带,比价带能量更高的 能带是导带。在绝对零度温度下,半导体的价带(valenee band)是满带(见 能带理论),受到光电注入或热激发后,价带中的部分电子会越过禁带 (forbidden ban d/ba nd gap)进入能量较高的空带,空带中存在电子后即成 为导电的能带一一导带。 B 导带是半...
带是导带。在绝对零度温度下,半导体的价带(valenceband)是满带(见 能带理论),受到光电注入或热激发后,价带中的部分电子会越过禁带(f orbiddenband/bandgap)进入能量较高的空带,空带中存在电子后即成 为导电的能带——导带。 B导带的涵义: 导带是半导体最外面(能量最高)的一个能带,是由许多准连续的能级 ...