半导体的反向耐压,正向压降都和禁带宽度有关。 1.2禁带宽度的物理意义 禁带宽度是半导体的一个重要特征参量,其大小主要决定于半导体的能带结构,即与晶体结构和原子的结合性质等有关。 半导体价带中的大量电子都是价键上的电子[1],不能够导电,即不是载流子。只有当价电子跃迁到导带(即本征激发)而产生出自由电子和...
对于半导体,所有价电子所处的能带是所谓价带,比价带能量更高的 能带是导带。在绝对零度温度下,半导体的价带(valenee band)是满带(见 能带理论),受到光电注入或热激发后,价带中的部分电子会越过禁带 (forbidden ban d/ba nd gap)进入能量较高的空带,空带中存在电子后即成 为导电的能带一一导带。 B 导带是半...
对于半导体,所有价电子所处的能带是所谓价带,比价带能量更高的 能带是导带。在绝对零度温度下,半导体的价带(valence band)是满带(见掘 带理论),受到光电注入或热激发后,价带中的部分电子会越过禁带 (forbidden band/band gap)进入能量较高的空带,空带中存在电子后即成为导 电的能帶一一导带。 B导带的涵义: ...
解析 当N个原子相互靠近形成晶体时原来一个能级分裂成N个很接近的新级由于晶体中原子数N很大所形成的N个新能级中相邻两能级间能量差很小可以看成是连续的因此这N个能级所形成的一定能量范围称为能带。两个相邻能带之间有一个不存在电子稳定能态的能量区域称为禁带晶体的价带中能级没有全部被电子填满的能带称为导...
对绝缘体和半导体, 它的电子大多数都处于价带, 不能自由移动, 但是热, 光等外界因 素的作用下,可以少量价带中的电子越过禁带,跃迁到导带上去成为载流子。 绝缘体和半导体的区别主要是禁的宽度不同。 半导体的禁带很窄, 绝缘体的禁带宽一些, 电子的跃迁困难的多,因此,绝缘体的载流子的浓度很小。导电性能很弱。
对于半导体,所有价电子所处的能带是所谓价带,比价带能量更高的能带是导带。在绝对零度温度下,半导体的价带(valence band)是满带(见能带理论),受到光电注入或热激发后,价带中的部分电子会越过禁带(forbidden band/band gap)进入能量较高的空带,空带中存在电子后即成为导电的能带——导带。 B导带的涵义: 导带是半导...
导带:价带以上能量最低的允许带称为导带; EC(conduction) 禁带:导带与价带之间的能量间隔称为禁带。 Eg(gap) 施主能级:易释放电子的原子称为施主,施主束缚电子的能量状态。 ED(donor) 受主能级:容易获取电子的原子称为受主,受主获取电子的能量状态。 EA( acceptor )反馈...
对于半导体,所有价电子所处的能带是所谓价带,比价带能量更高的能带是导带。在绝对零度温度下,半导体的价带(valence band)是满带(见能带理论),受到光电注入或热激发后,价带中的部分电子会越过禁带(forbidden band/band gap)进入能量较高的空带,空带中存在电子后即成为导电的能带——导带。 B导带的涵义: 导带是半导...
其中允许被电子占据的能带称为允带.允带之间的范围是不允许电子占据的,称为禁带.在晶体中电子的能量状态遵守能量最低原理和泡利不相容原理,晶体最外层电子壳层分裂所形成的能带称为价带。价带可能被电子填满也可能不被填满,其中被填满的能带称为满带.半导体的价带收到光电注入或热激发后,价带中的部分电子会越过禁带...
解析 单原子中电子绕核运动,各轨道上电子具有特定能量; 越靠近核的轨道,电子能量越低; 根据能量最小原理,电子优先占有最低能级;价电子所占据的能带称为价带; 价带的上面有一个禁带,禁带中不存在为电子所占据的能级; 导带能级是价电子挣脱共价键束缚成为自由电子所能占据的能级。