如图6-2所示为pn结接触前、后的平衡能带图,E。为导带底,E为价带顶,E为禁带中心, E F E_ F p分别为n型和p型半导体的费米能级。(1)试用本征载流子浓度n、能量 E 、E和E表示n型和p型半导体的多数载流子浓度n0和 p_1()(2)用nno、 p_p 和n;表述pn结的接触电势差VD;(3)用接触电势差 V_ D 表述n...
如图6-2所示为pn结接触前、后的平衡能带图,E。为导带底,E。为价带顶,E为禁带中心, E Fn,E_p p分别为n型和p型半导体的费米能级。(1)试用本征载流子浓度n、能量 E 、E和E表示n型和p型半导体的多数载流子浓度nn0和Ppo;(2)用nno、 p_p o和ni表述pn结的接触电势差VD;(3)用接触电势差 V_1 表述n区...
2.如图6-2所示为pn结接触前、后的平衡能带图.E为导带底,E为价带顶.E为禁带中心. E 、 E 分别为n型和p型半导体的费米能级(1)试用本征载流子浓度n、能量 E 、 E.和E表示n型和p型半导体的多数载流子浓度11和(2)用n、p和n表述pn结的接触电势差V :(3)用接触电势差V ,表述n区和p区半导体的少数载流子...
半导体的能带结构,并解释它们导电性明显不同的原导体的能带结构示意于下图导体中有未填满的导带,因而有良好的导电性绿体中虽有空的导带,但导带与价带间的禁带宽度或能隐很大,故很
在高纯度的半导体中电子的能量本征值形成图所示的能带结构.0K时价带中的状态完全被电子占据.而导带中的状态则完全未被占据.价.带与导带之间有能量为eg的能隙,称为禁带,其中
1. 作为电子工业的基础材料二氧化硅被广泛地应用于固态电子元器件的生产中。二氧化硅能带图显示,它的价带和导带之间有9eV的禁带,据此分析,二氧化硅更多地被用作导体还是绝缘