T/CASAS 015-2022的标准全文信息,碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点,广泛应用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术的不断发展,越来越多的领域如航天、航空、石油勘探、核能、
T/CASA 016—202X V 引 言 碳化硅金属氧化物半导体晶体管(SiC MOSFET)因具有禁带宽度宽、临界击穿电场强、热导率高等优点,逐渐在雷达探测、医疗通讯、交通运输以及新能源等领域广泛应用。而结壳热阻表征着热量在导热路径上的传输能力,是直接反映器件热性能的关键技术指标之一,可以为器件的热设计与优化改进提供参考。
广泛征求意见、委员会草案投票等流程,团体标准T/CASAS 015—2022《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方法》以及T/CASAS 016—2022《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)结壳热阻瞬态双界面测试方法》于2022年7月18日正式面向产业发布。
T/CASAS 016-2022碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)结壳热阻瞬态双界面测试方法T/CASAS 015-2022碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方法EN 62417:2010半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)T/CASAS 002-2021 宽禁带半导体术语DLA SMD-5962-88503 REV J-2003硅单片...
半导体器件.碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性试验方法.第2部分:由体二极管操作引起的双极退化的试验方法, Semiconductor devices - Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconduct
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)因具有禁带宽度宽、临界击穿电场强、耐高温性能好等优点,逐渐在雷达探测、医疗通讯、交通运输以及新能源等领域广泛应用。结壳热阻作为表征热量在导热路径传输能力的重要参数,是直接反映器件热性能的关键技术指标之一,可以为器件的热设计与优化改进提供参考。因而,准确的热阻测...
T/CASAS 016-2022碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)结壳热阻瞬态双界面测试方法T/CASAS 015-2022碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方法EN 62417:2010半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)T/CASAS 002-2021 宽禁带半导体术语DLA SMD-5962-88503 REV J-2003硅单片...
T/CASAS 015-2022碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方法T/CASAS 016-2022碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)结壳热阻瞬态双界面测试方法T/CASAS 002-2021 宽禁带半导体术语EN 62417:2010半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)GB/T 4475-1995 敏感元器件术语 ...