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碳化硅器件具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性,受益于 5G 通信、工业和军工电源、新能源电动汽车及充电桩,新能源光伏,智能电网、高频感应加热、轨道交通、电池化成等领域的发展,碳化硅器件需求增速可观。学习下碳化硅MOS管的应用设计。 源漫谈,知名美国半导体公司主任应用工程师,电源网优质创作者,多年电源研...
碳化硅MOS主要有两种结构:平面结构和沟槽结构。 平面碳化硅MOS结构如下图所示。这种结构的特点是工艺简单,单元的一致性较好,雪崩能量比较高。但是,这种结构的中间,N区夹在两个P区域之间,当电流被限制在靠近P体区域的狭窄的N区中流过时,将产生JFET效应(通过外加电压调节PN结的宽度来控制电流的流动,从而控制漏极和源...