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二. 碳化硅MOSFET分平面结构和沟槽结构 三.相对应于硅基MOSFET以及IGBT,碳化硅MOSFTE有以下优点: 01 ╱ 高工作频率 ╱ 传统MOSFET工作频率在60KHZ左右,而碳化硅MOSFET在1MHZ,甚至更高 用途:高频工作,可以减小电源系统中电容以及电感或变压器的体积,降低电源成本,让电源实现小型化,美观化。从而实现电源的升级换代。
碳化硅MOS是一种基于碳化硅(SiC)半导体材料的金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。 材料特性: 碳化硅是一种宽禁带半导体,其禁带宽度大于2eV,远超过硅(Si)的1.12eV。这种宽带隙使得碳化硅在高温下能够有效阻止载流子的激发和导电,具有较低的导通电阻。 碳化硅具有高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,...
包装盒正面印有PHILIPS品牌、产品外观、名称以及卖点，并且特别标注了这是一款碳化硅充电器。而充电头网拆解了解到，充电器是在PFC升压管上使用车规级碳化硅MOS替代了主流的氮化镓MOS，为产品带来更好的充电表现。需要科普的是，氮化镓和碳化硅虽同为第三代宽禁带半导体，但特性上有所区别。氮化镓具有较高的热导率和较...
碳化硅器件具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性,受益于 5G 通信、工业和军工电源、新能源电动汽车及充电桩,新能源光伏,智能电网、高频感应加热、轨道交通、电池化成等领域的发展,碳化硅器件需求增速可观。学习下碳化硅MOS管的应用设计。 源漫谈,知名美国半导体公司主任应用工程师,电源网优质创作者,多年电源研...
普通MOS管使用的是硅材料，而碳化硅MOS管使用的是碳化硅（SiC）半导体材料。该材料具有高熔点、高硬度、高导热性、高耐辐射性、高温稳定性等优异性能。其热导率和能带隙均高于硅材料，因此碳化硅MOS管可以在较高的温度下稳定工作。二、特征性差异 切换速度：碳化硅MOS管导通速度快，开关速度快，可以实现更高频率、更...