一、材料区别 普通MOS管使用的是硅材料,而碳化硅MOS管则是采用碳化硅(SiC)半导体材料,这种材料具有高熔点、高硬度、高导热性、高抗辐射、高温稳定性等优良特性,其热导率和能带间隙比硅材料更高,因此碳化硅MOS管能够在更高的温度下稳定工作。 二、特性区别 1. 开关速度:碳化硅MOS管的导通速度快,开关速度快,因此可...
左边:碳化硅(SiC)晶体;右边:SiC晶体结构 由SiC制作的MOSFET耐压高,或者在同样的耐压要求下,MOSFET的尺寸就小,从而大大降低了MOS管的导通电阻和传热热阻。 使用SiC制作的MOSFET在近期在大功率、高电压、高频率应用越来越广泛。 恰好手边有如下功率MOS管,左边为碳化硅MOS管,型号为ASC30N1200MT3,它的耐压为1200V,导...
它比ASC30N1200MT3导通电阻大了3倍左右。 出色的高耐压和低导通电阻使得碳化硅MOS管在大功率半导体电路中表现出色。特别对于高电压电路,在同样的功率密度下,碳化硅MOS自身损耗很小,有的场合甚至可以不使用散热片便可以获得同样功率输出。 虽然SiC功率器件有着很多优点,但它也有自身的一些缺点。比如它的栅极驱动电压要求...