半导体产业再获佳绩，烁科晶体SiC二期项目圆满收官近日，山西转型综合改革示范区再传捷报，烁科晶体SiC二期项目顺利通过竣工验收，并正式投产。此举不仅为该地区的经济发展带来了新的增长点，更为中国电科（山西）碳化硅材料产业基地的产能扩大及技术革新提供了有力支撑。烁科晶体SiC二期项目坐落于山西转型综合改革示
烁科晶体公司表示,二期项目投产后,新增的年产20万片碳化硅衬底将包含N型碳化硅单晶衬底、2.5万片高纯衬底及1.3吨莫桑晶体。这一产能的提升,不仅为下游客户提供更加多样化的选择,还进一步推动了碳化硅晶体技术的进步。 作为山西省的首批“链主”企业之一,烁科晶体在推动碳化硅材料技术创新方面始终处于行业前沿。公司已成功...
近期,中国碳化硅(SiC)产业又传来两条重磅消息:烁科晶体二期项目全面投产,新增20万片产能;理想汽车自研碳化硅功率芯片完成装机,纯电车型将陆续搭载。 source:理想汽车 烁科晶体:二期项目全面投产 据“投资山西”2月10日消息,烁科晶体的二期碳化硅产线已经全面投产,将为烁科晶体带来每年20万片碳化硅衬底的新增产能,并...
近日，山西转型综合改革示范区迎来山西烁科晶体SiC二期项目的顺利竣工和投产。该项目不仅提升了区域经济活力，还助力中国电科（山西）的碳化硅材料产业基地扩展产能和技术革新。这个高科技项目于2023年8月备案，10月提交建设申请，11月主体封顶，2024年3月进入设备安装阶段，目前正式投产。烁科晶体SiC二期项目坐落于山西转型...
自2018年成立以来，不到四年时间，烁科晶体便建立了行业领先、工艺先进的碳化硅生产线，成为国内规模最大、产能最高的碳化硅材料产业基地。其碳化硅材料产能位居国内前列，市场占有率超过50%，为确保产业链的安全与稳定作出了重大贡献。◉ 技术突破与市场地位 碳化硅被誉为全球最先进的第三代半导体材料，凭借其耐高压...
目前,烁科晶体拥有600台单晶生长设备,已实现4英寸高纯半绝缘晶片的产业化,月产能可达8000片,具有强大的自主供应能力。6英寸产品实现小批量供应,8英寸N型碳化硅抛光片实现小批量生产。产品综合实力国内领先,国际先进。部分产品国内市场占有率超过50%...
2024年12月31日,据中国电子材料行业协会消息,中电科半导体材料有限公司所属山西烁科晶体有限公司近日成功研制出12英寸(300mm)高纯半绝缘碳化硅单晶衬底,并同期研制成功12英寸N型碳化硅单晶衬底。 在产能建设方面,烁科晶体碳化硅二期项目在2024年10月通过竣工验收,标志着该项目正式投产。二期项目的建成,预计将为烁科晶体...
烁科晶体采用自主研发的全国产化设备，建立了高产能的生产线，为碳化硅晶片的生产和研发提供了有力支持。碳化硅作为全球领先的第三代半导体材料，凭借其耐高压、高频、大功率等卓越物理特性，在卫星通信、特高压、轨道交通等诸多重要领域发挥着核心作用。特别是在航天、军工、核能等极端环境下，碳化硅的优势更是无与伦比...
据悉,烁科晶体在2021年率先研制出8英寸碳化硅晶体,解决大尺寸单晶制备的重要难题,并于2022年实现8英寸N型碳化硅抛光片小批量生产,向8英寸国产N型碳化硅抛光片的批量化生产迈出了关键一步。 2024年,烁科晶体碳化硅二期项目已顺利通过竣工验收,预计将为烁科晶体带来每年新增20万片6-8英寸碳化硅衬底的产能,其中包括N型...