半导体产业再获佳绩，烁科晶体SiC二期项目圆满收官近日，山西转型综合改革示范区再传捷报，烁科晶体SiC二期项目顺利通过竣工验收，并正式投产。此举不仅为该地区的经济发展带来了新的增长点，更为中国电科（山西）碳化硅材料产业基地的产能扩大及技术革新提供了有力支撑。烁科晶体SiC二期项目坐落于山西转型综合改革示范区潇...
▲碳化硅晶体生长车间 “碳化硅产业基地一期的300台单晶生产设备，具备年产7.5万片碳化硅单晶衬底的产能，年收入在3亿元以上。”山西烁科晶体有限公司保障部经理周立平介绍，项目建成后，他们将具备年产10万片4-6英寸N型碳化硅单晶晶片、5万片4-6英寸高纯半绝缘型碳化硅单晶晶片的生产能力，是目前国内最大的碳化硅材料...
据山西日报2020年报道，烁科晶体在实现第三代半导体碳化硅全产业链完全自主可控、完全掌握4-6英寸衬底片“切、磨、抛”工艺，解决了关键技术工艺“卡脖子”问题的基础上，8英寸衬底片已经研发成功，即将量产，国内最大的碳化硅单晶衬底产业基地正加速形成。此外，烁科晶体碳化硅半导体材料产能国内第一，市场占有率超过50...
据悉,烁科晶体在2021年率先研制出8英寸碳化硅晶体,解决大尺寸单晶制备的重要难题,并于2022年实现8英寸N型碳化硅抛光片小批量生产,向8英寸国产N型碳化硅抛光片的批量化生产迈出了关键一步。 2024年,烁科晶体碳化硅二期项目已顺利通过竣工验收,预计将为烁科晶体带来每年新增20万片6-8英寸碳化硅衬底的产能,其中包括N型...
2024年12月31日,据中国电子材料行业协会消息,中电科半导体材料有限公司所属山西烁科晶体有限公司近日成功研制出12英寸(300mm)高纯半绝缘碳化硅单晶衬底,并同期研制成功12英寸N型碳化硅单晶衬底。 在产能建设方面,烁科晶体碳化硅二期项目在2024年10月通过竣工验收,标志着该项目正式投产。二期项目的建成,预计将为烁科晶体...
作为一种特殊的衬底材料,SIC的产能一直是制约其广泛应用的一个关键因素。本文将逐步回答“烁科晶体SIC衬底产能”的问题,探讨其当前状况、产能扩展的挑战以及解决方案。 第一部分:烁科晶体SIC衬底的当前状况 烁科晶体SIC衬底作为一种新兴的半导体材料,具有优异的性能特点,例如高熔点、高热传导系数和高电子迁移率等。
产能方面,二期项目的建成,预计将为烁科晶体带来每年新增20万片6-8英寸碳化硅衬底的产能,其中包括N型碳化硅单晶衬底20万片/年、高纯衬底2.5万片/年、莫桑晶体1.3吨/年。 8英寸进展方面,烁科晶体于2021年8月研制出8英寸碳化硅晶体,随后在2022年1月,烁科晶体实现8英寸N型碳化硅抛光片小批量生产。(集邦化合物半导体...
从2018年“呱呱落地”，到入选第四批国家级“专精特新”小巨人企业，这家年轻的公司，承载着不普通的使命。成立不到4年，就形成了行业技术领先、工艺先进的碳化硅生产线，建成了国内规模最大、产能第一的碳化硅材料产业基地，碳化硅材料产能达到国内第一，市场占有率超过50%，为产业链安全稳定作出了重要贡献。练就...
烁科晶体SiC二期项目在山西转型综合改革示范区潇河产业园太原起步区(北区)顺利完成竣工验收,标志着该高科技项目正式投产。二期项目预计将使烁科晶体每年新增20万片6-8英寸碳化硅衬底的产能,包括N型碳化硅单晶衬底20万片/年、高纯衬底2.5万片/年、莫桑晶体1.3吨/年。这一产能的扩张,不仅满足了市场对高性能半导体材料的...