淀积工艺是半导体制造过程中的关键步骤之一 主要目的是在硅晶圆上沉积一层或多层薄膜 薄膜可以是金属、氧化物、氮化物等 淀积工艺包括化学气相淀积(CVD)、物理气相淀积(PVD)等方法 化学气相淀积(CVD): 通过化学反应在基底上形 成薄膜 物理气相淀积(PVD): 通过物理过程在基底上形 成薄膜 电化学淀积(ECD):通 过电...
尽管CVD比PVD有更好的台阶覆盖特性,但目前通孔填铜的种子层和钽氮扩散层薄膜都是通过PVD来淀积的,CVD实际应用大部分在介质膜和绝缘膜,实际的工艺选择还是需要根据芯片的设计要求,并不是说所有的膜层都要求100%保角性。 END
半导体制造技术—第四讲：淀积工艺 第四讲：淀积工艺 半导体知识人 概 述 薄膜淀积是芯片加工过程中一个至关重要的工艺步骤，通过淀积工艺可以在硅片上生长导各种导电薄膜层和绝缘薄膜层。各种不同类型的薄膜淀积到硅片上，在某些情况下，这些薄膜成为器件结构中的一个完整部分，另外一些薄膜则充当了工艺过程中的牺牲...
4.6 学习笔记 淀积工艺 1、淀积概述 一般用来淀积化合物SiO2 Si3N4,金属也可以。 分为化学气相沉积(APCVD、LPCVD、PECVD、ALD)、物理气相沉积(蒸发evaporation、溅射sputtering) 对于薄膜,要求一般是:台阶特性、可填充高深宽比、厚度均匀、高纯度高密度、剂量易控制、结构好应力低、电学特性好、黏附性好。
一、工艺原理 等离子体气相淀积是利用高能等离子体激活反应气体,使其在衬底表面发生化学反应并沉积成膜的过程。通过控制等离子体的能量和反应气体的种类,可以制备出不同材质和性能的薄膜。 二、关键步骤 1. 衬底准备:选择适合的衬底材料,并进行清洁处理,以确保薄膜的附着力和质量。 2. 反...
半导体制造技术—第四讲：淀积工艺 第四讲：淀积工艺 半导体知识人 概 述 薄膜淀积是芯片加工过程中一个至关重要的工艺步骤，通过淀积工艺可以在硅片上生长导各种导电薄膜层和绝缘薄膜层。各种不同类型的薄膜淀积到硅片上，在某些情况下，这些薄膜成为器件结构中的一个完整部分，另外一些薄膜则充当了工艺过程中的牺牲...
在实际应用中,薄膜淀积工艺通常包括以下几个步骤:首先,将衬底清洗干净并放入淀积腔室中;然后,根据所需的薄膜材料和厚度,选择合适的淀积源和工艺参数;接着,通过加热、电子束轰击或化学反应等方式,使淀积源中的材料以原子或分子的形式释放到衬底上;最后,通过控制淀积时...
化学气相淀积的工艺流程 化学气相淀积(Chemical Vapor Deposition,CVD)是一种通过化学反应在固体表面上生成薄膜的方法。其工艺流程可以简单描述为以下几个步骤: 1.基材准备:选择合适的基材,如硅片、玻璃或金属衬底,并进行表面处理,以提供一个干净平整的表面。 2.反应室装载:将经过准备的基材放置在反应室中,确保其处于...
一.薄膜淀积 二.物理气相沉积-PVD 三.蒸发 四.蒸发源 五.溅射 六.PVD工艺的台阶覆盖, 视频播放量 4799、弹幕量 3、点赞数 79、投硬币枚数 34、收藏人数 205、转发人数 32, 视频作者 半导体要爆炸, 作者简介 西电23电科保研,微电子,GaN功率器件设计共同学习,共同努力哦各