摘要 本发明揭示了一种多晶硅淀积工艺,用于填充具有高深宽比的孔,该工艺包括:在高温下向孔中通入氢气去除孔表面的氧化层;在高温下向孔中通入掺杂气体对孔壁进行掺杂及扩散;降低温度;在低温下进行多晶硅淀积,多晶硅淀积是分阶段进行,且不同的阶段具有不同的多晶硅生长速率。采用本发明的技术方案,能够较好解决高深宽比...
本发明揭示了一种多晶硅淀积工艺,用于填充具有高深宽比的孔,该工艺包括:数个工艺循环,每一个工艺循环包括:在具有高深宽比的孔中淀积预定厚度的多晶硅,淀积在低温下进行,且孔口的多晶硅生长速率大于孔底部的多晶硅生长速率;升高温度并同入刻蚀气体,对高深宽比的孔中的多晶硅进行刻蚀,刻蚀在高温下进行,且孔口的...
通常LPCVD多晶硅是在575~650℃的温度范围内,用硅烷在低压热壁式反应器中进行淀积的。化学反应方程式如下:硅烷被吸附在衬底上之后,分解生成硅,硅在衬底上迁移、排列形成多晶硅薄膜。实际工艺的淀积速率主要是受衬底表面氢的解吸附限制。淀积速率主要依赖于气体压力、温度和硅烷分压。典型的淀积速率在10~100nm/min之间。...
1LPCVD沉积多晶硅薄膜的基本原理热壁LPCVD工艺淀积多晶硅的基本原理是硅烷(SiH4)热分解,其反应式为:SiH4→Si(固)+2H2(气)。根据气体传输过程理论,气体分子的平均自当温度远低于600℃时,淀积速率变得太慢,以致不能应用。多晶硅淀积常常调节温度分布,使炉子尾部区域温度比前部及中心区域高出5～15℃。较高的温度增加...
百度试题 结果1 题目典型的多晶硅淀积工艺用硅烷作为化学源。( ) 相关知识点: 试题来源: 解析 正确 反馈 收藏
MOS器件的制造工艺流程为: 衬底制备→场区氧化→有源区光刻→生长栅氧化层→淀积多晶硅→多晶硅刻蚀→源漏和多晶硅离子注入→退火→化学汽相淀积PSG→ PSG热熔流→引线孔刻蚀→金属淀积和反刻→合金→中测→划片→装片与烧结→键合→封装→测试打印包装 参考答案:对 点击查看答案进入小程序搜题 你可能喜欢 多重引...
摘要 本发明揭示了一种多晶硅淀积工艺,用于填充具有高深宽比的孔,该工艺包括数个工艺循环,每一个工艺循环包括在具有高深宽比的孔中淀积预定厚度的多晶硅,淀积在低温下进行,且孔口的多晶硅生长速率大于孔底部的多晶硅生长速率;升高温度并同入刻蚀气体,对高深宽比的孔中的多晶硅进行刻蚀,刻蚀在高温下进行,且孔口的多...
摘要 本发明揭示了一种多晶硅淀积工艺,用于填充具有高深宽比的孔,该工艺包括数个工艺循环,每一个工艺循环包括在具有高深宽比的孔中淀积预定厚度的多晶硅,淀积在低温下进行,且孔口的多晶硅生长速率大于孔底部的多晶硅生长速率;升高温度并同入刻蚀气体,对高深宽比的孔中的多晶硅进行刻蚀,刻蚀在高温下进行,且孔口的多...
本发明揭示了一种多晶硅淀积工艺,用于填充具有高深宽比的孔,该工艺包括:数个工艺循环,每一个工艺循环包括:在具有高深宽比的孔中淀积预定厚度的多晶硅,淀积在低温下进行,且孔口的多晶硅生长速率大于孔底部的多晶硅生长速率;升高温度并同入刻蚀气体,对高深宽比的孔中的多晶硅进行刻蚀,刻蚀在高温下进行,且孔口的...
多晶硅淀积工艺 (57)摘要 本发明揭示了一种多晶硅淀积工艺,用于填充具有高深宽比的孔,该工艺包括:数个工艺循环,每一个工艺循环包括:在具有高深宽比的孔中淀积预定厚度的多晶硅,淀积在低温下进行,且孔口的多晶硅生长速率大于孔底部的多晶硅生长速率;升高温度并同入刻蚀气体,对高深宽比的孔中的多晶硅进行刻蚀,刻蚀在...