淀积工艺是半导体制造过程中的关键步骤之一 主要目的是在硅晶圆上沉积一层或多层薄膜 薄膜可以是金属、氧化物、氮化物等 淀积工艺包括化学气相淀积(CVD)、物理气相淀积(PVD)等方法 化学气相淀积(CVD): 通过化学反应在基底上形 成薄膜 物理气相淀积(PVD): 通过物理过程在基底上形 成薄膜 电化学淀积(ECD):通 过电化学反
一、金属薄膜淀积 金属薄膜淀积是集成电路制造中的核心步骤之一。通过物理气相淀积(PVD)或化学气相淀积(CVD)等方法,在硅片上形成一层均匀的金属薄膜。这些金属薄膜在后续的工艺中将被刻蚀成导线,用于连接各个电子元件,从而实现电路的功能。 在金属薄膜淀积过程中,需要精确控制薄膜的厚度和均匀性,以确保...
4.6 学习笔记 淀积工艺 1、淀积概述 一般用来淀积化合物SiO2 Si3N4,金属也可以。 分为化学气相沉积(APCVD、LPCVD、PECVD、ALD)、物理气相沉积(蒸发evaporation、溅射sputtering) 对于薄膜,要求一般是:台阶特性、可填充高深宽比、厚度均匀、高纯度高密度、剂量易控制、结构好应力低、电学特性好、黏附性好。 台阶覆盖的...
尽管CVD比PVD有更好的台阶覆盖特性,但目前通孔填铜的种子层和钽氮扩散层薄膜都是通过PVD来淀积的,CVD实际应用大部分在介质膜和绝缘膜,实际的工艺选择还是需要根据芯片的设计要求,并不是说所有的膜层都要求100%保角性。 END
01淀积工艺概述 工艺介绍: 淀积工艺的重要性与应用。 表格章节内容: 淀积工艺比较 工艺介绍金属薄膜淀积: 介绍金属薄膜淀积的工艺步骤与应用领域。 化学气相沉积(CVD): 解释化学气相沉积的原理及其在半导体制造中的应用。 物理气相沉积(PVD): 详述物理气相沉积的过程与其在半导体工业中的角色。 电化学沉积(ED): 探讨...
半导体制造技术—第四讲：淀积工艺 第四讲：淀积工艺 半导体知识人 概 述 薄膜淀积是芯片加工过程中一个至关重要的工艺步骤，通过淀积工艺可以在硅片上生长导各种导电薄膜层和绝缘薄膜层。各种不同类型的薄膜淀积到硅片上，在某些情况下，这些薄膜成为器件结构中的一个完整部分，另外一些薄膜则充当了工艺过程中的牺牲...
气相淀积和氧化工艺是化学加工领域中常见的两种工艺。其中,气相淀积是一种将气体化合物沉积在表面上的工艺,而氧化则是一种将氧化物形成在表面上的工艺。 二、原理 气相淀积的原理是利用气态化合物在表面沉积的物理过程,将气态物质分解成固态物质,然后在表面沉积。相比之下,氧化的原理则是利用氧气...
化学气相淀积（Chemical Vapor Deposition，简称CVD）是一种用于制造各种材料，包括半导体、陶瓷、金属和合金等的工艺技术。在CVD过程中，气态或蒸汽态的化学物质在基材表面发生化学反应，形成固态薄膜。这一过程通常在高温下进行，以促进化学反应的发生。CVD技术在半导体制造中尤为重要，用于沉积绝缘材料、金属和其他类型的...
一.薄膜淀积 二.物理气相沉积-PVD 三.蒸发 四.蒸发源 五.溅射 六.PVD工艺的台阶覆盖, 视频播放量 5180、弹幕量 3、点赞数 80、投硬币枚数 34、收藏人数 209、转发人数 35, 视频作者 半导体要爆炸, 作者简介 西电23电科保研,微电子,GaN功率器件设计共同学习,共同努力哦各
物理气象淀积(PVD)工艺是一种广泛应用于薄膜制备领域的技术。在这个过程中,靶材作为核心材料,其选择直接决定了薄膜的质量和性能。下面,我们将详细介绍PVD工艺中几种常用的靶材材质。 一、纯金属靶材 纯金属靶材是PVD工艺中最常用的材料之一。这类靶材以其高纯度、良好的导电性和...