GaN 氢化物气相外延 流体动力学利用有限元法对立式氢化物气相外延系统工艺参数进行了优化,发现在新设计的立式氢化物气相外延反应器中,存在衬底与气体入口的最佳距离,在最佳距离位置上,沉积的均匀性最好.在设定的条件下模拟的结果表明这个距离为5cm.在此基础上,模拟得到了优化的生长参数.模拟的结果还表明重力方向与GaCl气...
氢化物气相外延 在HVPE工艺过程中,III族氮化物(如GaN,AlN)是由热的气态金属氯化物(如GaCl或AlCl)与氨气(NH3) (参照如下公式)反应形成的 。 金属氯化物是热的HCl气体通过热的III族金属产生的。 所有反应都是在温度控制的石英炉内进行的。 如,热 HCl (气) + Ga (液) ---> GaCl (气) GaCl (气) + N...
卷文章编号:1001-9731(2013)23—3412—04氢化物气相外延生长GaN膜性质研究刘战辉,张李骊,李庆芳,修向前,张荣,谢自力(1.南京信息工程大学物理与光电工程学院,江苏南京210044;2.南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏南京210093)摘要:利用氢化物气相外延技术在c面蓝宝石上生长得到纤锌矿结构GaN...
GaN 氢化物气相外延生长的 GaN 厚膜中位错密度计算 摘要: 采用两种不同的方法分别确定了在 c 面蓝宝石上用氢化物气相外延 ( H VPE) 法生长的六 方相的 GaN 厚膜中的位错密度。首先, 利用选择性化学腐蚀方法研究了 GaN 膜中的晶体缺陷, 研究区分了位错的不同类型, 发现在 H VPE GaN 贯通位错占主导地位。由...
1.发明领域本发明涉及利用氢化物气相外延(hydride vapor phase epitaxy, HVPE)进行平 面非极性{1-100}和半极性{11-22}氮化镓(GaN)的生长。2.现有技术氮化镓(GaN)和其相关的化合物是用于制造尖端可见光和紫外线高功率和高性 能光电器件和电子器件的主要备选材料。这些器件通常通过包括分子束外延(MBE)、金属有 机...
1.本发明涉及单晶gan制备技术领域,具体涉及一种通过氢化物气相外延法制备高质量单晶gan的方法。 背景技术: 2.gan(gan)主要是指一种由人工合成的半导体材料,是第三代半导体材料的典型代表,研制大功率、高温、高速和恶劣环境条件下工作的光电子器件的理想材料。
摘要 本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓(GaN)膜中的金属插入层及制备方法,其特征在于采用了金属钨(W)插入层的结构。在HVPE制备GaN膜的过程中,先在GaN模板上电子束蒸发一层W薄层,然后经高温退火后继续HVPE生长GaN层。金属钨插入层的引入,作用是产生微区掩膜,金属W薄膜在高温下会发生团聚,同时与W接触的下层...
载气对氢化物气相外延生长厚层GaN基片的影响
氢化物气相外延生长的GaN膜中的应力分析