氢化物气相外延法是一种在气相中合成氢化物材料的方法。该方法常用于制备具有高质量的氢化物薄膜或纳米颗粒。该方法使用化学气相沉积技术,通过将金属或半导体前驱物在适当的反应条件下与氢气反应,在表面上沉积出所需的氢化物材料。这种方法通常需要高温和真空条件下进行,以促进反应的进行。得到的氢化物材料可以用于各种应用,...
利用氢化物气相外延制备GaMnN铁磁性薄膜的方法,氢化物气相外延(HVPE)生长GaMnN铁磁性薄膜材料,在电炉中,包括N2管道和NH3管道,设有金属镓源-HCl-N2管道,包括一路金属镓源-HCl-N2管道,并将反应物GaCl-N2均匀输运至电炉的GaN薄膜材料的生长区,添加一路HCl气体,将金属Mn载入反应区域,使得Mn可以参加到GaN合成反应过程中...
牛总部设在美国马里兰州银泉的TDI是世界领先的发展生产新型化合物半导体,如GaN,AlN,AlGaN ,InN和InGaN的氢化物气相外延( HVPE )工艺和技术的公司。 这些材料被用于各种应用,最主要的是固态照明,短波长光电子和射频功率电子。 TDI生产的氮化物模板 氢化物气相外延 在HVPE工艺过程中,III族氮化物(如GaN,AlN)是由热的气...
氢化物气相外延(HVPE) HVPE是一种常压热壁化学气相沉积技术,热壁反应H9TA4GH2GDACPR-4GM器中衬底和载气同时被加热,不同于MOCVD中的冷壁反应器(只有衬底被加热)。HVPE技术曾广泛地用于制备Ⅲ~V族半导体化合物,如GaAs和InP,其优点为:①设各和工艺相对简单,原材料成本较低;...
1.发明领域本发明涉及利用氢化物气相外延(hydride vapor phase epitaxy, HVPE)进行平 面非极性{1-100}和半极性{11-22}氮化镓(GaN)的生长。2.现有技术氮化镓(GaN)和其相关的化合物是用于制造尖端可见光和紫外线高功率和高性 能光电器件和电子器件的主要备选材料。这些器件通常通过包括分子束外延(MBE)、金属有 机...
《制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备》是2019年1月1日实施的一项中国国家标准。编制进程 2018年9月17日，《制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备》发布。2019年1月1日，《制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备》实施。起草工作 主要起草单位：东莞市中镓半导体科技有限公司、中国电子技术标准化研究院。主要...
所述氢化物气相外延系统包括:气相外延生长单元,其包括反应室、源气体供给机构和第一密封机构,所述源气体供给机构与所述反应室连接,所述反应室具有第一开口,所述第一密封机构与所述反应室连接并能够打开关闭所述第一开口;降温单元,其包括降温室和第二密封机构,所述降温室具有第二开口,所述第二密封机构与所述降温...
氢化物气相外延(HVPE)等外延装备企业新质生产力内涵解析 第一节 新质生产力的定义与特征 一、新质生产力的概念界定 二、新质生产力的核心要素 三、新质生产力的特征分析 第二节 新质生产力与氢化物气相外延(HVPE)等外延装备企业发展的关系 一、新质生产力对氢化物气相外延(HVPE)等外延装备企业竞争力的提升作用 ...
氢化物气相外延技术(HVPE)是生长制备Ⅲ族氮化物比较成功的生长方法。该方法具有设备简单、生长成本低、无碳污染、生长速度快(速率最高可以达到数百微米每小时)等优点,并且生长的GaN厚膜具有高质量的晶体品质和优异的光电特性。因此,HVPE技术已经成为外延生长GaN材料的有效手段]。目前,国内对HVPE生长GaN材料已有相关研究...