近日,苏州纳维科技有限公司获得了国家知识产权局授予的“氢化物气相外延用的浮舟及浮舟装置”专利,这一技术申请时间可以追溯到2019年10月。这一新专利的发布,不仅为氢化物气相外延(MOVPE)技术的发展注入了新的动力,也为相关领域的科研和产业化带来了新的机遇。 氢化物气相外延技术是一种在半导体产业中,被广泛应用于生长...
HVPE是一种常压热壁化学气相沉积技术,热壁反应H9TA4GH2GDACPR-4GM器中衬底和载气同时被加热,不同于MOCVD中的冷壁反应器(只有衬底被加热)。HVPE技术曾广泛地用于制备Ⅲ~V族半导体化合物,如GaAs和InP,其优点为:①设各和工艺相对简单,原材料成本较低; 生长速率高,每小时可达几十甚至几百微米;③横向纵向生长比率...
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氢化物气相外延(HVPE)是制备氮化镓(GaN)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学,光学性质及重要用途,总结了GaN体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技术原理,分析了HVPE制备自支撑(Free-Standing)GaN衬底方法,综述了HVPE技术国内外研究进展,指出今后研究方向.doi:JournalArticle/5aea6affc095d713d8abe...
氢化物气相外延自支撑GaN衬底制备技术研究进展 维普资讯 http://www.cqvip.com
要氢化物气相外延(HVPE)是制备氮化镓(GaN)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学,光学性质及重要用途,总结了GaN体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技术原理,分析了HVPE制备自支撑(Free—Standing)GaN衬底方法,综述了HVPE技术国内外研究进展,指出今后研究方向.doi:10.3969/j.issn.1007-2373.2007....
氢化物气相外延(HVPE)是制备氮化镓(GaN)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了GaN体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技术原理,分析了HVPE制备自支撑(Free-Standing)GaN衬底方法,综述了HVPE技术国内外研究进展,指出今后研究方向.陈洪建...