利用氢化物气相外延技术在c 面蓝宝石上生长得到纤锌矿结构 GaN 膜.采用高分辨 X 射线衍射,拉曼光谱和光致发光谱对GaN 外延膜进行了结构表征和光学性质研究,重点探讨了光致发光谱的温度变化特性.样品(002)面和(102)面摇摆曲线半高宽分别为322和375 arcsec,表明生长的 GaN 膜具有较好的晶体质量.高分辨 X射线衍射...
氢化物气相外延 在HVPE工艺过程中,III族氮化物(如GaN,AlN)是由热的气态金属氯化物(如GaCl或AlCl)与氨气(NH3) (参照如下公式)反应形成的 。 金属氯化物是热的HCl气体通过热的III族金属产生的。 所有反应都是在温度控制的石英炉内进行的。 如,热 HCl (气) + Ga (液) ---> GaCl (气) GaCl (气) + N...
卷文章编号:1001-9731(2013)23—3412—04氢化物气相外延生长GaN膜性质研究刘战辉,张李骊,李庆芳,修向前,张荣,谢自力(1.南京信息工程大学物理与光电工程学院,江苏南京210044;2.南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏南京210093)摘要:利用氢化物气相外延技术在c面蓝宝石上生长得到纤锌矿结构GaN...
GaN 氢化物气相外延生长的 GaN 厚膜中位错密度计算 摘要: 采用两种不同的方法分别确定了在 c 面蓝宝石上用氢化物气相外延 ( H VPE) 法生长的六 方相的 GaN 厚膜中的位错密度。首先, 利用选择性化学腐蚀方法研究了 GaN 膜中的晶体缺陷, 研究区分了位错的不同类型, 发现在 H VPE GaN 贯通位错占主导地位。由...
1.本发明涉及单晶gan制备技术领域,具体涉及一种通过氢化物气相外延法制备高质量单晶gan的方法。 背景技术: 2.gan(gan)主要是指一种由人工合成的半导体材料,是第三代半导体材料的典型代表,研制大功率、高温、高速和恶劣环境条件下工作的光电子器件的理想材料。
摘要 本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓(GaN)膜中的金属插入层及制备方法,其特征在于采用了金属钨(W)插入层的结构。在HVPE制备GaN膜的过程中,先在GaN模板上电子束蒸发一层W薄层,然后经高温退火后继续HVPE生长GaN层。金属钨插入层的引入,作用是产生微区掩膜,金属W薄膜在高温下会发生团聚,同时与W接触的下层...
1.发明领域本发明涉及利用氢化物气相外延(hydride vapor phase epitaxy, HVPE)进行平 面非极性{1-100}和半极性{11-22}氮化镓(GaN)的生长。2.现有技术氮化镓(GaN)和其相关的化合物是用于制造尖端可见光和紫外线高功率和高性 能光电器件和电子器件的主要备选材料。这些器件通常通过包括分子束外延(MBE)、金属有 机...
载气对氢化物气相外延生长厚层GaN基片的影响
氢化物气相外延生长的GaN膜中的应力分析