本征载流子浓度是自由电子和自由空穴的平衡浓度,与禁带宽度和温度相关,计算公式为ni²=NcNvexp[-Eg/kT]。在T=300K时,硅
(3)n型半导体载流子浓度 以n型Si半导体为例,n型半导体的电中性条件:qn_0=qn_D^++qp_0,化简得到 n_0=n_D^++p_0 导带电子浓度来源:施主电离浓度和本征激发浓度。 代入得到: 加入约束条件简化等式以求解 E_F 解析式,所以根据温度区间分段讨论: ①低温弱电离区(温度极低,杂质离化很少对应的温度区间) 温...
或者如果已经知道了导带电子浓度和价带空穴浓度的值,就可以确定出费米能级ET的值。 下面针对本征半导体,来讨论它的载流子浓度。对于本征半导体,当温度不是0K的时候,一定存在本征激发(特点:导带电子和价带空穴成对出现)。可以利用电中性条件将费米能级计算出来。 由于电中性,所以本征半导体单位体积中的正电荷总量和负电...
解析 答:本征载流子浓度特点:本征材料中,导带内电子数n等于价带内的空穴总数p:n=p=ni (ni为本征载流子浓度)。载流子的数目决定于材料的禁带宽度和材料的温度:宽禁带会使得载流子很难通过热激发来穿过它,因此宽禁带的本征载流子浓度一般比较低;可以通过提高温度让电子更容易被激发到导带,同时提高了本征载流子的浓度。
对一定的半导体,其本征载流子浓度()。 A. 与温度无关,与杂质浓度无关 B. 与温度有关,与杂质浓度有关 C. 与温度无关,与杂质浓度有关 D. 与温度有关,与杂质浓度无关 相关知识点: 试题来源: 解析 D.与温度有关,与杂质浓度无关 反馈 收藏
本征载流子浓度与费米能级 •概念：❖本征半导体：当半导体中旳杂质浓度远不 大于由热激发产生旳电子空穴浓度时，此半导体称为本征半导体。❖本征激发：当半导体旳温度T>0k时，本征半导体就有电子从价带激发到导带去，同步价带中产生了空穴旳过程。5 ➢本征载流子浓度：在本征半导体中，导带中每单位体积旳电子数...
半导体物理：3.2 本征载流子浓度 3.3.1本征载流子浓度(－没有杂质和缺陷的半导体)－热激发所产生的载流子 T=0K，价带全满，导带全空T0K，热激发，电子从价带激发到导带（本征激发）T>0K,n=p=ni,n•p=n2i 电中性条件 ni= np= Nc exp EcEfkT Nv exp EfEvkT = NC Nv exp EcEv2kT ni = 4....
1.半导体中的载流子 1.1.电子和空穴的平衡分布 1.2.平衡电子和空穴浓度方程 1.3.本征载流子浓度 1.4.本征费米能级的位置 2.掺杂原子与能级 2.1.定性描述 2.2.电离能 2.3.Ⅲ-Ⅴ族半导体 3.非本征半导体的载流子分布 3.1.电子和空穴的平衡分布 3.2. 积 3.3.费米-狄拉克积分* 3.4.简并与非简并半导体 4.施主和...
百度试题 题目半导体本征载流子浓度的表达式及其费米能级 相关知识点: 试题来源: 解析 载流子浓度:ni=n0p0=(NcNv)1/2exp(-Eg/2kT) 费米能级:Ei=Ef=(Ec+Ev)/2+(3kT/4)*ln(mp/mn) 反馈 收藏