(本征硅的载流子浓度ni = 1.5*10^10每cm^3) 2【题目】掺杂半导体电子浓度计算在本征硅中掺入1%的As后,设杂质全部电离.请问该杂质半导体中的载流子浓度是多少?(本征硅的载流子浓度 ni=1.5*10^(10) 每cm3 反馈 收藏
在硅材料,300K温度下,本征载流子浓度ni = 9.65 * 10^9 cm^-3。在硅材料,300K温度下,本征载流子浓度ni =
本征载流子浓度ni=1.5*10*10cm-3 没有添加任何杂质到半导体材料里面的半导体就称为本征半导体。温度高于绝对零度后，本征半导体的导带和价带中就有部分电子或空穴。n：代表导电带中电子的浓度； P：代表价电带中空穴的浓度。定义：ni为本征载子浓度对于本征半导体而言，n=p=ni 对给定的某一个半导体，...
pi。通常称他们是本征电子浓度和本征空穴浓度。因为ni＝pi，所以通常简单地用ni表示本征载流子浓度。计算...
在本征硅中掺入1%的As后,设杂质全部电离.请问该杂质半导体中的载流子浓度是多少?(本征硅的载流子浓度ni = 1.5*10^10每cm^3) 扫码下载作业帮搜索答疑一搜即得 答案解析 查看更多优质解析 解答一 举报 硅的原子密度为5*10^22cm-3,掺入1%的As后,若杂质全部电离,则室温下载流子浓度为:多数载流子(电子)n=5*10...
本征载流子浓度ni=1.5*10*10cm-3 没有添加任何杂质到半导体材料里面的半导体就称为本征半导体。温度高于绝对零度后，本征半导体的导带和价带中就有部分电子或空穴