500k温度下,硅的本征载流子浓度是2.716*10^14/cm^3。 硅(台湾、香港称矽xī)是一种化学元素,它的化学符号是Si,旧称矽。原子序数14,相对原子质量28.0855,有无定形硅和晶体硅两种同素异形体,属于元素周期表上第三周期,IVA族的类金属元素。硅也是极为常见的一种元素,然而它极少以单质的形式在自然界出现,而是以...
(本征硅的载流子浓度ni = 1.5*10^10每cm^3) 2掺杂半导体电子浓度计算在本征硅中掺入1%的As后,设杂质全部电离.请问该杂质半导体中的载流子浓度是多少?(本征硅的载流子浓度ni = 1.5×1010每cm3) 反馈 收藏
浓度是1.5。室温下，硅的本征载流子浓度为i=1.5×1016m-3。本征载流子浓度（Intrinsic carrier concentration）为本征半导体材料中自由电子和自由空穴的平衡浓度，常用值为300K时的浓度值。本征载流子浓度与温度有关，同样材质的半导体，温度越高，热激发越强烈，本征载流子浓度越高；与禁带宽度有关，同样的...
本征载流子浓度又称为固有载流子浓度，在T=300K时，为个1.5×1010个/cm−3 点个赞，接着看 如果...
课本例题
载流子浓度*电子电荷*空穴迁移率），其中载流子浓度如上；电子电荷为常数；空穴迁移率=450。（供参考）
(本征硅的载流子浓度ni = 1.5*10^10每cm^3) 2【题目】掺杂半导体电子浓度计算在本征硅中掺入1%的As后,设杂质全部电离.请问该杂质半导体中的载流子浓度是多少?(本征硅的载流子浓度 ni=1.5*10^(10) 每cm3 反馈 收藏
在本征硅中掺入1%的As后,设杂质全部电离.请问该杂质半导体中的载流子浓度是多少?(本征硅的载流子浓度ni = 1.5*10^10每cm^3) 扫码下载作业帮搜索答疑一搜即得 答案解析 查看更多优质解析 解答一 举报 硅的原子密度为5*10^22cm-3,掺入1%的As后,若杂质全部电离,则室温下载流子浓度为:多数载流子(电子)n=5*10...
500k温度下,硅的本征载流子浓度是2.716*10^14/cm^3。本征载流子浓度与温度有关，同样材质的半导体，温度越高，热激发越强烈，本征载流子浓度越高；与禁带宽度有关，同样的温度下，禁带宽度越窄，电子或空穴更容易从价带跃迁到导带，本征载流子浓度越高。
pi。通常称他们是本征电子浓度和本征空穴浓度。因为ni＝pi，所以通常简单地用ni表示本征载流子浓度。计算...