本征载流子浓度计算公式为:ni²=NcNvexp[-Eg/kT],其中ni为本征载流子浓度,Nc和Nv分别为导带和价带有效状态密度,Eg为
具体的计算公式为:ni²=NcNvexp[-Eg/kT] 其中Nc/Nv分别为导带/价带有效状态密度;Eg为禁带宽度,T为温度,单位K。另外,通常用ni来表示本征载流子浓度,ni=pi。 需要注意的是,虽然这个公式给出了本征载流子浓度的理论计算方式,但由于有效质量值是低温下进行的回旋共振实验测定的,可能与实验结果不太吻合。此外,半导体...
本征载流子浓度又称为固有载流子浓度，在T=300K时，为个1.5×1010个/cm−3 点个赞，接着看 如果...
ni(T)=9.15∗1019∗(T300)2e−6880T 时间节点3. 1993 年,Misiakos 在《Journal of Applied Physics》上发表文章(参考文献 3),提出了一种新的测量方法,测得在 300K 温度下,硅材料的本征载流子浓度 ni=(9.7±0.1)∗109cm−3 并给出了计算公式 ni(T)=5.29∗1019∗(T300)2.54e−6726T ...
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本征载流子浓度计算公式 本征载流子浓度(Intrinsic carrier concentration)为本征半导体材料中自由电子和自由空穴的平衡浓度,常用值为300K时的浓度值。 本征载流子浓度与温度有关,同样材质的半导体,温度越高,热激发越强烈,本征载流子浓度越高;与禁带宽度有关,同样的温度下,禁带宽度越窄,电子或空穴更容易从价带跃迁到导带,...
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我们得到本征载流子浓度关于禁带宽度的表达式: n_{i}=\sqrt{N_{c}N_{v}}e^{-E_{g}/2kT} 我们得到一个关于本征载流子的关键表达式: ni2=np !!很重要的等式,是热平衡状态的一个基本公式,但只能在玻尔兹曼近似条件下成立 四、载流子浓度表达式二 ...
课本例题