替位杂质 替位杂质（substitutional impurity）是1993年公布的电子学名词。公布时间 1993年，经全国科学技术名词审定委员会审定发布。出处 《电子学名词》第一版。
百度试题 题目替位式杂质 相关知识点: 试题来源: 解析 杂质原子进入半导体硅以后,杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处,称为替位式杂质。形成替位式杂质的条件:杂质原子大小与晶格原子大小相近 反馈 收藏
替位杂质 释义 substitutional impurity [电子]替位杂质; 行业词典 电子学 substitutional impurity
百度试题 题目何为替位杂质?何为填隙杂质?相关知识点: 试题来源: 解析 杂质原子占据正常晶格格点的,称为替位杂质。杂质原子位于正常格点之间的,称为填隙杂质。反馈 收藏
百度试题 结果1 题目什么就是替位式杂质,它得形成特点就是什么?相关知识点: 试题来源: 解析 解:杂质进入半导体后杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处,称为替位式杂质,特点就是杂质原子大小与被取代晶格原子大小相似,价电子壳结构比较相近 反馈 收藏
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在硅半导体中形成替位杂质的条件,可能的掺杂元素主要哪些 半导体中杂质 电学杂质是人为地加入某种元素以改变半导体的导电性能,半导体中的杂质对电阻率的影响非常大。半导体中掺入微量杂质时,杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态,在禁带中产加的杂质能级
半导体物理-替位间隙施主受主杂质与能级, 视频播放量 627、弹幕量 0、点赞数 6、投硬币枚数 7、收藏人数 5、转发人数 0, 视频作者 Atomsolar, 作者简介 临江书院,相关视频:半导体物理-杂质能级的载流子贡献及费米能级与温度变化关系,【北京大学】人格心理学:洞悉人性的2
由此可见,替位杂质的运动首先要在近邻出现空位,同时还要依靠热涨落获得大于势垒高度Ws的能量才能实现替位运动,因此替位杂质的运动是与温度密切相关的。实际上,晶体中空位的平衡浓度相当低,替位式扩散速率也就比填隙式低得多,室温下替位杂质的跳跃速率约每年一次。