硅中的杂质有两种类型,即替位式和间隙式。它们在硅晶格中替代硅原子构成硅杂质原子,影响着硅的性质。尤其是电子态,替位式和间隙式ib族杂质都有重要作用。 替位式ib族杂质主要指硅晶格中替代硅原子的离子,其中最常见的是硅中的硼离子(B3+)。硼离子能够在硅晶格中替代硅原子,同时也改变了硅的结构,使硅的能带...
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固溶体分类: 替位式固溶体杂质占据格点位置 形成替位式固溶体必要条件:溶质原子半径的大小接近溶剂原子半径,若溶质原子半径与溶剂原子半径相差大于15%,则可能性很小。(几何有利因素) 大部分施主和受主杂质都与硅形成替位式固溶体 间隙式固溶体杂质存在间隙中 答案 替位式...
ELECTRONIC STATES OF SUBSTITUTIONAL AND INTERSTITIAL GROUP-IB IMPURITIES IN SILICON硅中替位式和间隙式IB族杂质的电子态波函数深能级杂质对对称性位势杂化轨道壳层I族排斥势不可约表示基By using Koster-Slater Green's function method and on-site defect potential approximation, a systematic method of A1 ...
间隙式杂质原子较小,如Li、H;(2)替位式杂质:杂质占据格点的位置.杂质出现在半导体中时,产生的附加势场使严格的周期性势场遭到破坏。杂质能级位于禁带之中;和缺陷类型(1)空位和间隙; (2)替位原子;二、元素半导体的杂质和缺陷;束缚在杂质能级上的电子被激发到导带Ec成为导带电子,该杂质电离...