解:杂质进入半导体后杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处,称为替位式杂质,特点就是杂质原子大小与被取代晶格原子大小相似,价电子壳结构比较相近 反馈 收藏
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半导体中的施主和受主都是替位杂质，即只有取代晶格原子的位置以后才能提高载流子（五族杂质提供电子，三族杂质提供空穴），否则若这些杂质原子处在晶格间隙位置，那么就不能提供载流子，只能起散射作用。通过退火等热处理方法使得处在晶格间隙位置的施主或者受主原子进入到晶格位置，以起到提供载流子的作用，...
在锗或硅晶体中掺入微量三价元素硼、铝、镓等杂质原子时，杂质原子与周围四个锗（或硅）原子形成共价...
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在硅半导体中形成替位杂质的条件,可能的掺杂元素主要哪些 半导体中杂质 电学杂质是人为地加入某种元素以改变半导体的导电性能,半导体中的杂质对电阻率的影响非常大。半导体中掺入微量杂质时,杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态,在禁带中产加的杂质能级
点积在分子动力学模拟中的原子间相互作用 热度: 溶质-表面相互作用的分子模拟 热度: 原子光子的相互作用动力学 热度: 替位杂质对低能Pt原子与Pt(111)表面相互作用影响的分子动力学模拟,替位杂质对低能Pt原子与Pt(111)表面相互作用影响的分子动力学模拟影响,原子,模拟,分子动力学,相互作用,替位杂质对,111表面,原子...
硅中的杂质有两种类型,即替位式和间隙式。它们在硅晶格中替代硅原子构成硅杂质原子,影响着硅的性质。尤其是电子态,替位式和间隙式ib族杂质都有重要作用。 替位式ib族杂质主要指硅晶格中替代硅原子的离子,其中最常见的是硅中的硼离子(B3+)。硼离子能够在硅晶格中替代硅原子,同时也改变了硅的结构,使硅的能带...
1.27 将习题1.26中的替位杂质换做浓度为4 ×10/cm的磷原子重新计算1.26 假设浓度为 2*10^(16)/cm 的硼原子作为替位杂质加入 中且在整个半导体中均匀分布,确定用硅晶格常数表示的硼原子之间的距离(假定硼原子按照长方体或立方体阵列分布) 相关知识点: ...
替位杂质原子产生的应变是怎么推导出来的?《半导体的检测与分析》第二版,第二章第7小节,问题1: P149页式(2.208)是如何得到的? 问题2: 式中N0,完整晶体的原子密度如何求得,比如砷化镓完整晶体的原子密度是多少? 问题3: 可否试求图2-143中任一点数据? 发自小木虫Android客户端回复...