替位式杂质 杂质原子进入半导体硅以后，杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处，称为替位式杂质。
解:杂质进入半导体后杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处,称为替位式杂质,特点就是杂质原子大小与被取代晶格原子大小相似,价电子壳结构比较相近 反馈 收藏
规范用词替位杂质 英文翻译substitutional impurity 所属学科电子学>半导体物理与半导体材料 名词审定电子学名词审定委员会 见载刊物《电子学名词》 科学出版社 公布时间1993年 半导体物理与半导体材料 的上级学科 电子学
由此可见,替位杂质的运动首先要在近邻出现空位,同时还要依靠热涨落获得大于势垒高度Ws的能量才能实现替位运动,因此替位杂质的运动是与温度密切相关的。实际上,晶体中空位的平衡浓度相当低,替位式扩散速率也就比填隙式低得多,室温下替位杂质的跳跃速率约每年一次。
一般来说通过离子注入方式实现参杂，工艺最后都有一个退火过程，一是为了重新完整由于高能离子注入导致的晶格损伤，其次是激活注入的离子。更详细的关于杂志激活的原理推荐看 Slilicon VLSI Technology， Fundamentals，Practice and Modeling，作者Jmaes D. Plummer等，中文译本也有的了，这本书可谓是IC工艺...
杂质能级位于禁带上方靠近导带底附近。杂质能级上的电子很易激发到导带成为电子载流子。这种能提供电子载流子...
在硅半导体中形成替位杂质的条件,可能的掺杂元素主要哪些 半导体中杂质 电学杂质是人为地加入某种元素以改变半导体的导电性能,半导体中的杂质对电阻率的影响非常大。半导体中掺入微量杂质时,杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态,在禁带中产加的杂质能级
[解答] 占据正常晶格位置的替位式杂质原子,它的原子半径和电荷量都或多或少与母体原子半径和电荷量不同。这种不同就会引起杂质原子附近的晶格发生畸变,使得畸变区出现空位的几率大大增加,进而使得杂质原子跳向空位的等待时间大为减少,加大了杂质原子的扩散速度。 按照国家规定实行审批制的建设项目,建设单位应当在报送...
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