美国Sinton WCT-120少子寿命测试仪器 美国Sinton WCT-120少子寿命测试仪器采用了独特的测量和分析技术,包括准稳定态光电导(QSSPC)测量方法。可灵敏地反映单、多晶硅片的重金属污染及陷阱效应,表面复合效应等缺陷情况。WCT在大于20%的超高效率太阳能电池(HIT,MWT,EWT,PREL,等等)的研发和生产过程中是一种被广泛选用...
美国Sinton WCT-120少子寿命测试仪器采用了的测量和分析技术,包括准稳定态光电导(QSSPC)测量方法。可灵敏地反映单、多晶硅片的重金属污染及陷阱效应,表面复合效应等缺陷情况。WCT在大于20%的超高效率太阳能电池(HIT,MWT,EWT,PREL,等等)的研发和生产过程中是一种被广泛选用的检测工具。这种QSSPC测量少子寿命的方法可...
这款晶圆少子寿命测量仪是专业为晶圆少数载流子复合寿命测量设计的少子寿命测试仪器。晶圆少子寿命测量仪采用半标准准稳态光电导寿命测量方法QSSPC技术和瞬态光电导衰退技术测量在10ns~10ms范围的少子寿命。其中准稳态光电导寿命测量方法QSSPC非常适合监测多晶硅晶圆,掺杂扩散和低寿命样品。瞬态光电导衰退适合较高少子寿命的...
其MDP(微波检测光电导性)少子寿命测试仪,作为行业内前端的分析设备,以其非接触、无损、高灵敏度的特性,在碳化硅器件性能优化中发挥着不可替代的关键作用。本文旨在探讨MDP少子寿命测试仪在碳化硅器件性能优化中的重要作用,德国弗莱贝格仪器公司共同推动半导体技术的进步与发展。 应用分享 碳化硅器件性能优化:结合少子寿命...
晶圆晶锭寿命测定仪 是为晶圆晶锭测量少子寿命、光电导率、电阻率和样品平整度及p/n检查任务设计的晶圆晶锭少子寿命测试仪器。采用非接触式检测和无损成像（μPCD /MDP(QSS)）设计。晶圆晶锭寿命测定仪应用 单晶晶圆寿命，多晶晶圆寿命和晶锭寿命测量 适合硅,化合物半导体,氧化物,宽禁带,钙钛矿材料 [ CdTe | ...
晶圆少子寿命测量仪是专业为晶圆少数载流子复合寿命测量设计的少子寿命测试仪器。 晶圆少子寿命测量仪采用半标准准稳态光电导寿命测量方法QSSPC技术和瞬态光电导衰退技术测量在10ns~10ms范围的少子寿命。其中准稳态光电导寿命测量方法QSSPC非常适合监测多晶硅晶圆,掺杂扩散和低寿命样品。瞬态光电导衰退适合较高少子寿命的晶圆...
WCT-120PL荧光少子寿命测试仪现价0.000;r WCT-120PL产品分别采用标准QSSPC方法和光致发光法测量硅片的载流子寿命。 瞬
BLS-I and BCT-400测量系统对于单晶硅或多晶硅(硅锭或硅块)不需要进行表面钝化就可以进行寿命测量。因为寿命测量是描述生长特征和污染缺陷灵敏度的技术,这些工具允许你评估硅生长后的质量。 性能* 非接触方式量测真正意义上的硅块少子寿命,符合SEMI的PV13标准;相比业界其他少子寿命测试仪BLS-I/BCT系列是性能更*的...
一个典型的测试参数是10mV反向电压下的反向电流(图4)。晶圆片右侧的缺陷结构与相应的反向电流增加之间有明显的相关性。此外,在晶圆片的左边可以看到一些坏的二极管(用矩形图案标记)。这些传感器与硼注入过程中出现的问题相对应。这可能是一个处理问题。很明显,故障传感器的主要部分位于晶圆片的右侧(图5),在那里发现...
BLS-I测量系统用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量,除需要有一个测量平面外,对样块 体形无严格要求,可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体 内重金属杂质污染及缺陷存在的情况,是单晶质量的重要检测项目。r r Sinton 少子寿命测量仪,BCT-400测试硅锭,BLS-I测试硅棒,Sinton X-闪光灯头,Sinton X5D...