宽禁带功率器件是指在能够承受高电压和高电流的同时,具有宽禁带与高响应速度的半导体器件。它们通常用于高电压、高频率和高功率应用中。 二、宽禁带功率器件的分类 1. MOSFET:MOSFET是一种常用的宽禁带功率器件,具有低导通电阻、高开关速度和高温容限...
1. MOSFET:MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管的简称,是一种常见的宽禁带功率器件。MOSFET具有低导通电阻、高开关速度等优点,适用于高频功率放大、直流-直流转换等应用场合。 2. IGBT:IGBT是绝缘栅双极型晶体管的简称,其结构类似于MOSFET和双极晶体管的混合体。IGBT具有低导通电阻和高开关特性,适用于高频逆变器、...
宽禁带功率器件是一种用于电源、逆变器等高功率应用的晶体管。与传统晶体管相比,宽禁带功率器件具有更宽的禁带宽度,也就是可以承受更高的电压和电流,同时还可以在更高的温度下工作。 二、宽禁带功率器件的优势 1.大电流承受能力强 宽禁带功率器件具有更宽的电流承受能力,能...
三、宽禁带半导体功率器件和集成电路的结合 宽禁带半导体功率器件和集成电路的结合,可以实现功率器件和控制电路的集成,从而提高系统的效率和可靠性。同时,还可以减小电路的体积和成本,提高系统的集成度和可维护性。在具体的设计过程中,需要注意功率器件和控制电路之间...
功率半导体领域,长久以来处于技术稳定期,但近年来的风云变幻预示着一场深刻变革的到来。其中,宽禁带(WBG)功率器件,特别是氮化镓(GaN)与碳化硅(SiC),正逐步成为市场的新宠,引领着行业的未来发展方向。 氮化镓功率器件自其在快充领域崭露头角以来,商业化进程显著加速,不仅稳固了其在快充市场的地位,更向更广阔的“全功...
同时,我们看到对更高功率密度和更小空间的要求。电动汽车正尽量减轻重量和提高能效,从而支持每次充电能续航更远的里程。车载充电器(OBC)和牵引逆变器现在正使用宽禁带(WBG)产品来实现这一目标。 碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是宽禁带材料,提供下一代功率器件的基础。与硅相比,SiC和GaN需要高3倍的能量才能使电子开始在...
目前,基于硅器件的各类功率变换器仍是工业应用的主流,但变化器的效率及功率密度难以再进一步提升,因为传统硅器件性能已接近其材料本身决定的理论极限。而以碳化硅(SiC)氮化镓(GaN)为代表的宽禁带导体由于具有宽带隙、高饱和和漂移度、高临界击穿电场等突出优点,成为制作大功率、高频、高温及抗辐照电子器件的理想替代材料...
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SiC 宽禁带功率器件的工作电压为48 V, 工作时漏极电流较小( 1. 0 A 左右) 。SiC 宽禁带功率器件具有高工作电压、小工作电流的特点。减小工作电流, 在工程中可以减小由于电源供电带来的损耗,提高电源供电效率。 从高低温试验结果看, 输出功率较常温下有所下降, 高温工作时, SiC 功率器件输出功率随环境温度升高...
宽禁带功率器件的制造工艺1.宽禁带功率器件的制造工艺主要包括材料生长、器件设计、刻蚀、掺杂、退火等步骤。2.目前常用的材料生长方法包括物理气相沉积和化学气相沉积等,刻蚀技术包括干法刻蚀和湿法刻蚀等。宽禁带功率器件概述宽禁带功率器件的性能优势1.宽禁带功率器件具有高温工作能力,能够在高温环境下保持稳定的电气性能...