1. 可靠性高:由于宽禁带功率器件的结构设计合理,兼具硅和氮化硅等材料的优点,所以其具有较高的可靠性。 2. 能耗低:在高频高压的应用场合中,宽禁带功率器件能够实现其工作功率的最佳匹配,从而降低功率损耗和耗能。 3. 热稳定性好:由于这种器件在高频率下的电子流动较快,能够将电子产生的热量快速散发,并且具...
第三代半导体材料领域,碳化硅是新近发展的宽禁带半导体的核心材料。碳化硅半导体器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点,具有开关速度快、效率高的优势,可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。目前,碳化硅半导体主要应用于以5G通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域和以新能源汽车、光伏发电...