1. 可靠性高:由于宽禁带功率器件的结构设计合理,兼具硅和氮化硅等材料的优点,所以其具有较高的可靠性。 2. 能耗低:在高频高压的应用场合中,宽禁带功率器件能够实现其工作功率的最佳匹配,从而降低功率损耗和耗能。 3. 热稳定性好:由于这种器件在高频率下的电子流动较快,能够将电子产生的热量快速散发,并且...
第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。一、二、三代半导体的区别:1、材料方面第一代半导体材料,发明并实用于20世纪50年代,以硅(Si)、锗(Ge)为代表,特别是Si,构成了一切逻辑器件的基础。我们的CPU...