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宽禁带功率器件是指在能够承受高电压和高电流的同时,具有宽禁带与高响应速度的半导体器件。它们通常用于高电压、高频率和高功率应用中。 二、宽禁带功率器件的分类 1. MOSFET:MOSFET是一种常用的宽禁带功率器件,具有低导通电阻、高开关速度和高温容限...
1. MOSFET:MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管的简称,是一种常见的宽禁带功率器件。MOSFET具有低导通电阻、高开关速度等优点,适用于高频功率放大、直流-直流转换等应用场合。 2. IGBT:IGBT是绝缘栅双极型晶体管的简称,其结构类似于MOSFET和双极晶体管的混合体。IGBT具有低导通电阻和高开关特性,适用于高频逆变器、...
宽禁带功率器件是一种用于电源、逆变器等高功率应用的晶体管。与传统晶体管相比,宽禁带功率器件具有更宽的禁带宽度,也就是可以承受更高的电压和电流,同时还可以在更高的温度下工作。 二、宽禁带功率器件的优势 1.大电流承受能力强 宽禁带功率器件具有更宽的电流承受能力,能...
宽禁带半导体功率器件是一种能够承受高电压和高电流的半导体器件,具有低导通电阻、高开关速度、低反向恢复电荷等特点。它们主要应用于高频电源、电动汽车、新能源发电等领域,可以提高系统的效率和可靠性。 二、集成电路设计的原则和技术难点 集成电路设计是将多个电子...
功率半导体领域,长久以来处于技术稳定期,但近年来的风云变幻预示着一场深刻变革的到来。其中,宽禁带(WBG)功率器件,特别是氮化镓(GaN)与碳化硅(SiC),正逐步成为市场的新宠,引领着行业的未来发展方向。 氮化镓功率器件自其在快充领域崭露头角以来,商业化进程显著加速,不仅稳固了其在快充市场的地位,更向更广阔的“全功...
同时,我们看到对更高功率密度和更小空间的要求。电动汽车正尽量减轻重量和提高能效,从而支持每次充电能续航更远的里程。车载充电器(OBC)和牵引逆变器现在正使用宽禁带(WBG)产品来实现这一目标。 碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是宽禁带材料,提供下一代功率器件的基础。与硅相比,SiC和GaN需要高3倍的能量才能使电子开始在...
目前,基于硅器件的各类功率变换器仍是工业应用的主流,但变化器的效率及功率密度难以再进一步提升,因为传统硅器件性能已接近其材料本身决定的理论极限。而以碳化硅(SiC)氮化镓(GaN)为代表的宽禁带导体由于具有宽带隙、高饱和和漂移度、高临界击穿电场等突出优点,成为制作大功率、高频、高温及抗辐照电子器件的理想替代材料...
宽禁带功率器件的制造工艺1.宽禁带功率器件的制造工艺主要包括材料生长、器件设计、刻蚀、掺杂、退火等步骤。2.目前常用的材料生长方法包括物理气相沉积和化学气相沉积等,刻蚀技术包括干法刻蚀和湿法刻蚀等。宽禁带功率器件概述宽禁带功率器件的性能优势1.宽禁带功率器件具有高温工作能力,能够在高温环境下保持稳定的电气性能...
SiC 宽禁带功率器件的工作电压为48 V, 工作时漏极电流较小( 1. 0 A 左右) 。SiC 宽禁带功率器件具有高工作电压、小工作电流的特点。减小工作电流, 在工程中可以减小由于电源供电带来的损耗,提高电源供电效率。 从高低温试验结果看, 输出功率较常温下有所下降, 高温工作时, SiC 功率器件输出功率随环境温度升高...