【题目】半导体材料是信息社会的基石,与第一代材料硅和第二代材料砷化镓相比,第三代材料氮化镓(GaN)具有优异的光学性质和化学稳定性。下列说法错误的是(A.简单氢化物中键角
与第一代和第二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和度以及更高的抗辐射能力。 1. 氮化镓(GaN) 概念股 1)闻泰科技:车载GaN已经量产,全球最优质的氮化镓供应商之一 2)三安光电:化合物半导体代工,已完成部分GaN的产线布局 3)海特高新:海威华芯...
和第一代第二代半导体..第三代半导体材料与第一代和第二代半导体材料相比具有以下优点:1. 高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能。这些优点使得第三代半导体材料在高温、高功率、高压、高频以及高辐射等条件下有更好的性
半导体材料是信息社会的基石,与第一代材料硅和第二代材料砷化镓相比,第三代材料氮化镓(GaN)具有优异的光学特性和化学稳定性。下列说法错误的是A.简单氢化物中键角的大小顺序
半导体材料是信息社会的基石,与第一代材料硅和第二代材料砷化镓相比,第三代材料氮化镓((GaN))具有优异的光学性质和化学稳定性。下列说法错误的是( ) A.简单氢化物中键角的大小顺序:((SiH))_4 ((AsH))_3 ((NH))_3 B.立方氮化镓与金刚砂((SiC))结构相似,均为共价晶体,每个晶胞实际拥有4个氮原子...