第二代半导体材料的特点和主要功用:以GaAs (砷化镓)、InP (磷化铟)等为代表的第二代半导体材料,以砷化镓为例,相比于第一代半导体,具有高频、抗辐射、耐高温的特性,砷化镓晶片与硅晶片主要差别,在于它是一种“高频”传输使用的晶片,由于其频率高,传输距离远,传输品质好,可携带信息量大,传输速度快,耗电量低,适合...
第二代半导体材料主要用于制作高速、高频、大功率和发光电子器件,是制作高性能微波、毫米波器件和发光器件的优良材料。由于信息高速公路和互联网的兴起,还广泛应用于卫星通信、移动通信、光通信和GPS导航等领域。例如,与第一代半导体相比,砷化镓(GaAs)可用于光电子领域,特别是在红外激光器和高亮度红光二极管中。进入...
第三代半导体材料:氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC) 图四、GaN与Si和SiC比较图 第三代半导体材料的兴起,是以氮化镓材料P型掺杂的突破为起点,以高效率蓝绿光发光二极管和蓝光半导体激光器的研制成功为标志的,它在光显示、光存储、光照明等领域将有广阔的应用前景。 以氮化镓和碳化硅为代表的第三代半导体材料,具备高击穿电场...
第一代、第二代、第三代半导体材料分别是 第一代是单质,第二代和第三代都是镓的化合物 1.第一代半导体材料bai主要是指硅(duSi)、锗元素(Ge)半导体材料。作为第一代半导体材料的锗和硅,在国际信息产业技术中的各类分立器件和应用极为普遍的集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类...
第二代半导体材料,发明并实用于20世纪80年代,主要是指化合物半导体材料,以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)为代表。其中砷化镓在射频功放器件中扮演重要角色,磷化铟在光通信器件中应用广泛…… 而第三代半导体,发明并实用于本世纪初年,涌现出了碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石(C)、氮化铝(AlN)等具有...
第一阶段是以硅(Si)、锗(Ge)为代表的第一代半导体原料; 第二阶段是以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等化合物为代表; 第三阶段是以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、硒化锌(ZnSe)等宽带半导体原料为主。 半导体材料与器件发展史 在材料领域的第一代,第二代, 第三代 并不具有“后一代优于前一代”的说法。国外一般...
第二代半导体材料概述第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料,如砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb);三元化合物半导体,如GaAsAl、GaAsP;还有一些固溶体半导体,如Ge-Si、GaAs-GaP;玻璃半导体(又称非晶态半导体),如非晶硅、玻璃态氧化物半导体;有机半导体,如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。
硅材料的带隙较窄、电子迁移率和击穿电场较低,Si 在光电子领域和高频高功率器件方面的应用受到诸多限制。但第一代半导体具有技术成熟度较高且具有成本优势,仍广泛应用在电子信息领域及新能源、硅光伏产业中。 3.2 第二代半导体材料 以砷化镓为例,相比于第一代半导体,砷化镓具有高频、抗辐射、耐高温的特性,因此广泛...
第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料,如砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb);三元化合物半导体,如GaAsAl、GaAsP;还有一些固溶体半导体,如Ge-Si、GaAs-GaP;玻璃半导体(又称非晶态半导体),如非晶硅、玻璃态氧化物半导体;有机半导体,如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。
因此第一、二代是一种长期共同的状态。 但是第三代宽禁带半导体材料,可以被广泛应用在各个领域,消费电子、照明、新能源汽车、导弹、卫星等,且具备众多的优良性能可突破第一、二代半导体材料的发展瓶颈,故被市场看好的同时,随着技术的发展有望全面取代第一、二代半导体材料。 参考资料百度百科——半导体材料 展开回答...