以氮化镓和碳化硅为代表的第三代半导体材料,具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能,更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件,是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”,在半导体照明、新一代移动通信、能源互联网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前...
以氮化镓和碳化硅为代表的第三代半导体材料,具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能,更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件,是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”,在半导体照明、新一代移动通信、能源互联网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前...
以氮化镓和碳化硅为代表的第三代半导体材料,具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能,更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件,是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”,在半导体照明、新一代移动通信、能源互联网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前...
第三代半导体材料:氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)图四、GaN与Si和SiC⽐较图 第三代半导体材料的兴起,是以氮化镓材料P型掺杂的突破为起点,以⾼效率蓝绿光发光⼆极管 和蓝光半导体激光器的研制成功为标志的,它在光显⽰、光存储、光照明等领域将有⼴阔的应 ⽤前景。
半导体材料是半导体工业的基础,第一代的半导体材料:硅、锗,第二代半导体材料:砷化镓、磷化铟,第三代半导体材料:氮化镓、碳化硅,第四代半导体材料:氧化镓(Ga2O3)
半导体材料是半导体工业的基础,第一代的半导体材料:硅、锗,第二代半导体材料:砷化镓、磷化铟,第三代半导体材料:氮化镓、碳化硅,第四代半导体材料:氧化镓(Ga2O3)。 在《什么是半导体》一文中,我们对半导体材料只做了简单的介绍,本篇详细介绍半导体材料。
第三代半导体材料的兴起,是以氮化镓材料P型掺杂的突破为起点,以高效率蓝绿光发光二极管和蓝光半导体激光器的研制成功为标志的,它在光显示、光存储、光照明等领域将有广阔的应用前景。 以氮化镓和碳化硅为代表的第三代半导体材料,具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能,更适合于制作高温、...
半导体材料是半导体工业的基础,第一代的半导体材料:硅、锗,第二代半导体材料:砷化镓、磷化铟,第三代半导体材料:氮化镓、碳化硅,第四代半导体材料:氧化镓(Ga2O3)。 在《什么是半导体》一文中,我们对半导体材料只做了简单的介绍,本篇详细介绍半导体材料。