以氮化镓和碳化硅为代表的第三代半导体材料,具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能,更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件,是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”,在半导体照明、新一代移动通信、能源互联网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前...
以氮化镓和碳化硅为代表的第三代半导体材料,具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能,更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件,是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”,在半导体照明、新一代移动通信、能源互联网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前...
以氮化镓和碳化硅为代表的第三代半导体材料,具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能,更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件,是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”,在半导体照明、新一代移动通信、能源互联网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前...
第三代半导体材料:氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)图四、GaN与Si和SiC⽐较图 第三代半导体材料的兴起,是以氮化镓材料P型掺杂的突破为起点,以⾼效率蓝绿光发光⼆极管 和蓝光半导体激光器的研制成功为标志的,它在光显⽰、光存储、光照明等领域将有⼴阔的应 ⽤前景。
第二代半导体材料:砷化镓 (GaAs)、磷化铟 (InP) 随着以光通信为基础的信息高速公路的崛起和社会信息化的发展,以砷化镓、磷化铟为代表的第二代半导体材料崭露头角,并显示其巨大的优越性。砷化镓和磷化铟半导体激光器成为光通信系统中的关键器件,同时砷化镓高速器件也开拓了光纤及移动通信的新产业。
半导体材料是半导体工业的基础,第一代的半导体材料:硅、锗,第二代半导体材料:砷化镓、磷化铟,第三代半导体材料:氮化镓、碳化硅,第四代半导体材料:氧化镓(Ga2O3)。 在《什么是半导体》一文中,我们对半导体材料只做了简单的介绍,本篇详细介绍半导体材料。
第二代半导体材料:砷化镓 (GaAs)、磷化铟 (InP) 随着以光通信为基础的信息高速公路的崛起和社会信息化的发展,以砷化镓、磷化铟为代表的第二代半导体材料崭露头角,并显示其巨大的优越性。砷化镓和磷化铟半导体激光器成为光通信系统中的关键器件,同时砷化镓高速器件也开拓了光纤及移动通信的新产业。 第三代半导体材料...
半导体材料是半导体工业的基础,第一代的半导体材料:硅、锗,第二代半导体材料:砷化镓、磷化铟,第三代半导体材料:氮化镓、碳化硅,第四代半导体材料:氧化镓(Ga2O3)。 在《什么是半导体》一文中,我们对半导体材料只做了简单的介绍,本篇详细介绍半导体材料。