是与光刻相联系的图形化（pattern）处理的一种主要工艺。所谓刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，其基本目标是在涂胶的硅片上正确地复制掩模图形。随着微制造工艺的...
刻蚀工艺在半导体、光学、生物医学、纳米科技等领域具有广泛的应用。 二、刻蚀分类 根据刻蚀介质的不同,刻蚀工艺可分为湿法刻蚀和干法刻蚀两种。湿法刻蚀是指将样品浸泡在特定溶液中,通过溶液中的化学反应来刻蚀样品表面;干法刻蚀则是在真空或气氛下,通过离子轰击或物理气相反应来刻蚀样品表面。根据刻蚀模式的不同,刻蚀...
刻蚀工艺简介 01 刻蚀工艺是指利用化学或物理方法有选择性地去除材料表面上的部分物质，以达到制备特定形状和尺寸的目的。刻蚀工艺包括干法刻蚀和湿法刻蚀两种，其中干法刻蚀主要利用等离子体或激光等高能粒子进行表面处理，而湿法刻蚀则主要利用化学试剂对材料表面进行腐蚀。
蚀刻(etching)是使用化学反应或物理撞击作用而移除部分材料的技术。蚀刻技术可以分为湿蚀刻(wet etching)和干蚀刻(dry etching)两类。最早可用来制造铜版、锌版等印刷凹凸版，也广泛地被使用于减轻重量(Weight Reduction)仪器镶板，铭牌及传统加工法难以加工之薄形工件等的加工；经过不断改良和工艺设备发展，亦可以用于...
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刻蚀工艺介绍 刻蚀工艺介绍 辛小刚 刻蚀原理介绍刻蚀主要工艺参数刻蚀液更换频率的管控刻蚀不良原因分析 刻蚀原理介绍 刻蚀是用一定比例的酸液把玻璃上未受光刻胶保护的Metal/ITO膜通过化学反应去除掉膜通过化学反应去除掉，Metal/ITO膜通过化学反应去除掉，最终形成制程所需要的图形。要的图形。刻蚀种类 目前我司的刻蚀...
1.离子束刻蚀 离子束刻蚀（Ion Beam Etching）是一种物理干法加工工艺，利用高能氩离子束以大约1至3keV的能量照射在材料表面上。离子束的能量使其撞击并去除表面材料。蚀刻过程在垂直或倾斜入射离子束的情况下是各向异性的。然而，由于其缺乏选择性，对不同层面的材料没有明显区别。产生的气体和被刻蚀的材料会被真空...
半导体制造刻蚀工艺介绍摘要:自从半导体诞生以来,其很大程度上改变了人类的生产和生活。半导体除了在计算机领域应用之外,还广泛地应用于通信网络自动遥控及国防科技领域。此外,在运输如汽车轮船飞机以及宇航上的应用和作用也日益显著。本文主要介绍半导体