Metal干法刻蚀工艺介绍 Metal腐蚀工艺介绍 ETCH2012-3 目录：•简介•Metal结构、成分•Metal腐蚀工艺•常见异常介绍 IC结构:金属在半导体器件中，主要起导线作用。PadEtch MetalEtch ViaEtchContactEtchPolycideEtch SpacerEtchImplantSiTrenchEtchEPI Al-5Al-4 PassivationIMD-4 IMD-3Al-3 IMD-2Al-2 IMD-1Al...
Metal干法刻蚀工艺介绍 Metal腐蚀工艺介绍 目录: 简介 Metal结构、成分 Metal腐蚀工艺 常见异常介绍 IC结构: 金属在半导体器件中,主要起导线作用。 Metal结构: 根据工艺的不同,Metal结构也各有不同: -- Al -- AlCu -- AlSiCu -- Ti/TiN/AlCu/TiN 另外在一些工艺中, 使用: -- W (Plug) -- Cu (Cu制程...
•Metal腐蚀工艺 •常见异常介绍 ICIC结构结构:: 金属在半导体器件中,主要起导线作用。 Al-1 Al-2 Al-5 STI PMD IMD-1 IMD-2 STI RTO/CVDNitride CVDOxide CMP, RPSOxide/NitrideStrip Spacer(Oxide,Nitride) LPCVD,PECVD PolycideGate CenturaPolyDep ...
型号 Metal干法刻蚀工艺介绍JL-V05 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销...
Metal干法刻蚀工艺介绍 Metal腐蚀工艺介绍 ETCH2012-3 目录：•简介•Metal结构、成分•Metal腐蚀工艺•常见异常介绍 IC结构:金属在半导体器件中，主要起导线作用。PadEtch MetalEtch ViaEtchContactEtchPolycideEtch SpacerEtchImplantSiTrenchEtchEPI Al-5Al-4 PassivationIMD-4 IMD-3Al-3 IMD-2Al-2 IMD-1Al...
1、Metal腐蚀工艺介绍腐蚀工艺介绍ETCH 2012-3 简介 Metal结构、成分 Metal腐蚀工艺 常见异常介绍 金属在半导体器件中,主要起导线作用。Al-1Al-2Al-5STIPMDIMD-1IMD-2STIRTO/CVD Nitride CVD OxideCMP,RPS Oxide/Nitride StripSpacer (Oxide, Nitride) LP CVD, PE CVD Polycide Gate Centura Poly DepSalicide ...
Metal干法刻蚀工艺介绍 Metal腐蚀工艺介绍 ETCH2012-3 目录：•简介•Metal结构、成分•Metal腐蚀工艺•常见异常介绍 IC结构:金属在半导体器件中，主要起导线作用。PadEtch MetalEtch ViaEtchContactEtchPolycideEtch SpacerEtchImplantSiTrenchEtchEPI Al-5Al-4 PassivationIMD-4 IMD-3Al-3 IMD-2Al-2 IMD-1Al...
Metal干法刻蚀工艺介绍课件.ppt,For metal etch * For metal etch * For metal etch * For metal etch * For metal etch * Cu 不易腐蚀, 电阻率低, 价格贵, 与介质和衬底Si附着性都不好, 电迁移性能好。 Ta 做为Cu工艺的Barrier层, 电阻率低于Ti * 湿法腐蚀AL用在CD3um
Metal腐蚀工艺常见异常介绍IC结构:金属在半导体器件中,主要起导线作用。Al-1Al-2Al-5STIPMDIMD-1IMD-2STIRTO/CVD NitrideCVD OxideCMP,RPS Oxide/Nitride StripSpacer(Oxide, Nitride)LP CVD, PE CVDPolycide GateCentura Poly DepSalicideTiSi 2PVD Ti / RTA...