简单来说,就是物理性刻蚀和化学性刻蚀结合使用,以实现更高效的刻蚀效果,因此,反应腔里的反应气体流量反应温度、反应压力等,都会影响刻蚀速率和刻蚀质量。 无论是从化学性干法刻蚀还是物理性干法刻蚀,都有其固有的优缺点,而物理化学性刻蚀则作为两种刻蚀方法的优势互补存在,集成电路工艺中采用最多的刻蚀方法是结合物理...
干法刻蚀工艺是采用等离子体进行图形转移的技术。等离子体是物质的第四态，指的是部分或完全电离的中性气体，通常包括电子、正负离子、中性粒子（包括激发态和基态的中性粒子）、自由基以及光子等组成，等离子体中带正电和带负电的粒子数量几乎相等，因而对外整体是呈电中性的。干法刻蚀与湿法刻蚀相比优点有：刻蚀剖面是...
干法刻蚀工艺介绍共57页
1、Metal腐蚀工艺介绍腐蚀工艺介绍ETCH 2012-3 简介 Metal结构、成分 Metal腐蚀工艺 常见异常介绍 金属在半导体器件中,主要起导线作用。Al-1Al-2Al-5STIPMDIMD-1IMD-2STIRTO/CVD Nitride CVD OxideCMP,RPS Oxide/Nitride StripSpacer (Oxide, Nitride) LP CVD, PE CVD Polycide Gate Centura Poly DepSalicide ...
硅的深沟槽干法刻蚀工艺中一般有两种方法: 第一种是间歇式刻蚀方法(BOSCH),即多次交替循环刻蚀和淀积工艺,刻蚀工艺使用的是SF6气体,淀积工艺使用的是C4F8气体,采用的是高密度电感耦合等离子体(TCP:Transformer CoupledPlasma),输出方式有连续和脉冲两种方法,采用低温(10 oC～20 oC)的温度环境,由于间歇式刻蚀方法是多...
干法刻蚀是用等离子体化学活性较强的性质进行薄膜刻蚀的技术。根据使用离子的刻蚀机理，干法刻蚀分为三种：物理性刻蚀、化学性刻蚀、物理化学性刻蚀。其中物理性刻蚀又称为溅射刻蚀，方向性很强，可以做到各向异性刻蚀，但不能进行选择性刻蚀。化学性刻蚀利用等离子体中的化学活性原子团与被刻蚀材料发生化学反应，从而实现...
【干法刻蚀工艺介绍怎样思想,就有怎样的生活干法刻蚀工艺介绍干法1目录:间·Metal结构、成分Metal腐蚀工艺常见异常介绍目录:2IC结构:金属在半导体器件中,主要起导线作用。日Passivation(PECVDPlanarizedPVDAl,CVDAlPadEtch-(PE/SA,HDP-CVD)MetalEtchIMD-4口WPlug/CMPWCVD+CMPViaetchSABPSG/RTA-CMPPolycideEtCVD,PECVD...
等离子清洗技术是一种替代传统湿法处理技术的干法处理方法,干法刻蚀工艺介绍具有以下优点。 1、环保技术:等离子作用工艺为气相干反应,不消耗水资源。你需要添加化学品。 2、效率高:整个过程可在短时间内完成。 3、成本低:设备简单,操作维护方便,无废液处理成本。 4、更精细的加工:渗透到细孔和凹痕的内部,完成清洁...