减薄 减薄是减低底片（或正片）银影（或颜色）密度的加工方法。黑白片减油使用氧化剂（铁氰化钾、过锰酸钾、过硫酸铵等），把构成画面的一部分银变成可溶性的化合物溶解掉，使画面的光学密度和反关下降。
在后道制程阶段,晶圆(正面已布好电路的硅片)在后续划片、压焊和封装之前需要进行背面减薄(backthinning)加工以降低封装贴装高度,减小芯片封装体积,改善芯片的热扩散效率、电气性能、机械性能及减小划片的加工量。背面磨削加工具有高效率、低成本的优点,目前已经取代传统的湿法刻蚀和离子刻蚀工艺成为最主要的背面减薄技术[1...
如上图所示,传统减薄工艺将晶圆(Wafer)整体减薄,导致晶圆(Wafer)整体结构变得非常脆弱,在生产过程中极易碎,且翘曲过大,不利于后续制造。而Taiko工艺使整个晶圆(Wafer)具有更高的机械强度,完美解决了这一问题。e、能减薄到最小厚度;下图为8寸晶圆(Wafer)50um厚度的效果,同时,Taiko工艺对于12寸晶圆(Wafer)的减薄,一...
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华海清科成立于2013年,减薄装备有Versatile-GP300和Versatile-GM300。 在今年9月,华海清科发布公告,自公司2023年推出12英寸超精密晶圆减薄机Versatile-GP300量产机台以来,公司积极推进客户端导入工作,该机型已发往存储、先进封装、CIS等不同工艺的客户端进行验证。近日已完成首台验证工作。
晶圆减薄选项 减薄到厚度：50 µm晶圆，直径300毫米的晶圆 背磨过程 目前有几种方法用于减薄晶圆，最流行的是成熟的机械背面研磨和抛光技术。在许多情况下，此工艺是首选，因为它比最近开发的新型化学或等离子蚀刻工艺更快且成本更低。然而，它确实存在在研磨过程中施加机械应力和热量以及在晶圆背面造成划痕的缺点。...
晶圆减薄对于芯片来说还有以下好处：1）散热效率将显著提升。随着芯片结构越来越复杂，集成度越来越高，晶体管数量急剧增加，散热逐渐成为影响芯片性能和寿命的关键因素。芯片越薄，对散热越有利。2）缩小芯片封装尺寸，微电子产品日益向轻、薄、小方向发展，因此厚度的减小也使芯片封装尺寸相应减小。3）降低芯片内应力...
晶圆减薄工艺是半导体器件制造中的一项关键工艺,它的主要作用是在晶圆的背面进行研磨,将硅材料减薄,以便进行芯片的加工和封装。 晶圆减薄工艺的步骤主要包括: 1. 选取合适的晶圆:选择晶圆时需要根据生产要求和成本考虑,一般选择经过初步清洗和检验合格的单晶硅圆盘。
陶企推行瓷砖减薄主要有两方面的原因：一是国家积极推进陶瓷砖坯体减薄，减少行业能耗和排放，实现高质量发展；二是行业内卷竞争压力大，生产经营成本不断攀升，为了维持利润，陶企需要通过节能降耗降低生产成本、提高效率，才能获得更大的市场优势。2022年6月17日，工业和信息化部等联合发布了《五部门关于推动轻工业高...