内建电势通常用符号 $V_b$ 表示,它可以由以下公式计算: $$V_b = \frac{kT}{q} \ln \left(\frac{N_a N_d}{n_i^2} \right)$$ 其中: $k$ 是玻尔兹曼常数 (约为 1.38 x 10^-23 J/K) $T$ 是温度 (以开尔文为单位) $q$ 是电子电荷 (约为 1.602 x 10^-19 C) $N_a$ 是受主浓...
其中: - \( V_{bi} \) 是内建电势 - \( k \) 是玻尔兹曼常数(约 \( 1.38 \times 10^{-23} \) 焦耳/开尔文) - \( T \) 是绝对温度(开尔文) - \( q \) 是电子电荷(约 \( 1.6 \times 10^{-19} \) 库仑) - \( N_D \) 是施主杂质浓度(对于n型半导体) - \( N_A \) 是...
比如,在电子和离子液体的双电层模型中,Dukhin-Shilov理论给出了内建电势与电解质浓度之间的关系。在多孔介质中,毛细管凝聚模型则用于描述多孔介质中的水分分布与内建电势的关系。在化学气相沉积过程中,热力学原理是用来确定内建电势的。 对于不同的情况,可能需要不同的公式来描述内建电势。因此,请根据具体应用场景...
【A科普】PN结篇—..众所周知,一般的书本上Vbi的公式有两个,是由突变结为标准推出,第一个是对内建电场作积分得到内建电势(也作扩散电势),对Vbi定义即源从此处,但是,加上耗尽区宽度的两个公式后我们发现了4个未知数,这阻
物理学 势能 中学物理 写下你的评论... 打开知乎App 在「我的页」右上角打开扫一扫 其他扫码方式:微信 下载知乎App 开通机构号 无障碍模式 验证码登录 密码登录 中国+86 登录/注册 其他方式登录 未注册手机验证后自动登录,注册即代表同意《知乎协议》《隐私保护指引》...
1.霍尔效应测量 霍尔效应探测器可以用来测量半导体中的电子和空穴的载流子浓度,从而得出内建电势。通过在...
内建电势是“内”部的,外部是完全无感知的;电压表自然测不到,只能测到0伏。 展开一点讲,自由电荷浓度差 生 内建电势。即浓度差在,电势在;浓度差无,电势无。 看下图,自由电荷浓度差,只存在于的结区域,很窄的一个宽度,约几个微米量级,只有这里有内建电势;结之外两侧的相对广阔区域,是没有浓度差的,也就没...
PN结有内建电势,所谓内建就不是外加的,是PN结本身就有的。先提第一个问题:为什么PN结会有内建电势呢?我们知道PN结住着一个空间电荷区,空间电荷区是怎么形成的?可动载流子扩散形成的。世间万物讲究平衡,对于P型区,带正电的空穴和带负电的受主离子是具有电平衡属性的,空穴浓度梯度的存在导致P区的空穴的...
万用表可以测量电压,电阻和电流等电学量,但是万用表并不能直接测量内建电势.因为万用表测量的电势差在电池正负极间,而内建电势是存在于半导体电池和其他电化学电池中的,因此无法直接测量.但是,可以使用万用表间接测量内建电势,具体操作方法需要仿照开路电压法. 四,结论 内建电势是存在于半导体...