其中: - \( V_{bi} \) 是内建电势 - \( k \) 是玻尔兹曼常数(约 \( 1.38 \times 10^{-23} \) 焦耳/开尔文) - \( T \) 是绝对温度(开尔文) - \( q \) 是电子电荷(约 \( 1.6 \times 10^{-19} \) 库仑) - \( N_D \) 是施主杂质浓度(对于n型半导体) - \( N_A \) 是...
内建电势通常用符号 $V_b$ 表示,它可以由以下公式计算: $$V_b = \frac{kT}{q} \ln \left(\frac{N_a N_d}{n_i^2} \right)$$ 其中: $k$ 是玻尔兹曼常数 (约为 1.38 x 10^-23 J/K) $T$ 是温度 (以开尔文为单位) $q$ 是电子电荷 (约为 1.602 x 10^-19 C) $N_a$ 是受主浓...
这个电势差是由于在半导体中存在自由电子和空穴的不均匀分布而形成的。在PN结形成时，例如在二极管中，内...
比如,在电子和离子液体的双电层模型中,Dukhin-Shilov理论给出了内建电势与电解质浓度之间的关系。在多孔介质中,毛细管凝聚模型则用于描述多孔介质中的水分分布与内建电势的关系。在化学气相沉积过程中,热力学原理是用来确定内建电势的。 对于不同的情况,可能需要不同的公式来描述内建电势。因此,请根据具体应用场景...
内建电势的计算公式是:$V_{bi}=\frac{kT}{q}\ln\left(\frac{N_{A}N_{D}}{n_{i}^{2}}\right)$。这里面的每个字母都有它独特的含义。$k$是玻尔兹曼常数,大概是$1.38×10^{-23} J/K$;$T$是热力学温度;$q$是电子电荷量,约为$1.6×10^{-19} C$;$N_{A}$是受主杂质浓度;$N_{D}...
内建电势的计算公式为: V = E_正 - E_负 其中,E_正表示正极的电势,E_负表示负极的电势。这个公式表明,内建电势等于正极电势与负极电势之差。 在实际应用中,我们可以通过测量电池的开路电压来估算内建电势。开路电压是指在电池未接入外部电路时,电池正负极之间的电势差。由于电池内部存在电阻和电荷分布的影响,...
内建电势公式是电子结构计算中用来描述原子核和电子相互作用的一种数学模型。它将核电势和电子电势能合称为内建电势,并用一个解析函数来表示。该函数的形式取决于所使用的近似方法,如哈特里-福克 (HF) 方法或密度泛函理论 (DFT) 方法。 哈特里-福克内建电势 在HF 近似中,内建电势公式为: ``` v_S(r) = ...
内建电势,二极管理论乐章中最动听的旋律,没有之一。温度就是此乐章的节奏,时而欢快,时而悠长。 温度变,内建电势如何变? 先定量计算,感觉一下,以普通硅二极管为例,计算结果如下图。 图中变化趋势显著:温度升,电势降,成线性递减。具体一点,温度从0度升高到100度时,内建电势由0.65伏逐渐变小到0.41伏,变化率约为...
在一些情况下,内建电势会对阈值产生影响 。以一个简单的MOS结构来说,半导体衬底和栅极之间的内建电势会影响到晶体管开启时所需的栅极电压。如果内建电势较大,那么在达到晶体管导通的阈值时,所需额外施加的栅极电压就可能相对较小。例如在某些特定工艺制造的CMOS(互补金属氧化物半导体)器件中,由于衬底和栅极材料的选...