常规HEMT结构二极管通过内建势的测量,提取的势垒高度为1.29eV,与热电子发射模型提取的势垒高度约1.05eV较为接近,也证明了常规HEMT结构二极管在0.70V至内建电势之间的导电机制是热电子发射机制。
画出外加正向、反向偏压时p-n结能带图,标出内建电场方向Ein、势垒高度。相关知识点: 试题来源: 解析 答: 在外加电压下,p-n结的能带图(正向偏压VF) 外加电压的电势差与p-n结的接触电势差方向相反,势垒高度由qVD降低为q(VD-VF),势垒宽度减小。 在外加电压下,p-n结的能带图(反向偏压VR)...
平衡情况的p-n结,内建电场的方向由n区指向p区,n区的电势高于p区的电势,内建电势差为VD,则从n区到p区的电子要越过的势垒高度为()。当外加正向偏压V(>0)时,势垒高度变为()。
单边突变结的( )主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。 A、内建电势 B、耗尽区宽度 C、最大电场 D、势垒高度 点击查看答案 广告位招租 联系QQ:5245112(WX同号)
当T=300K时,考虑以金作接触的n沟GaAs MESFET,假设势垒高度为 0.89V,n沟道浓度为2X 1015cm-3,沟道厚度为0.6卩m,计算夹断电压和内 建电