内建电势的大小与pn结的材料种类、掺杂浓度、温度等因素有关。当p型半导体和n型半导体接触时,由于p型半导体中的空穴向n型半导体中的电子扩散,形成了一个电子亏损区和一个空穴亏损区。在这两个区域之间,由于电子和空穴的扩散,形成了一个电势差,这个电势差就是内建电势。 内建电势的存在会影响pn结的导电特性。当外...
在本篇文章中,我们将详细介绍pn结内建电势的含义、形成过程以及其对半导体器件和电路行为的影响。 第一步:pn结的概念 在半导体器件中,pn结是一种半导体器件结构,由P型半导体(掺杂有电子空穴的半导体)和N型半导体(掺杂有自由电子的半导体)构成。 pn 结具有明显的空间电荷区,即载流子因浓度不同而形成的电子云区,同时...
内建电势的产生是为了抵消电荷分布不均匀所带来的电场,使得PN结两侧的电势能保持平衡。内建电势的产生会导致价带和导带的能级弯曲,使得本征费米能级也发生变化。 因此,PN结的本征费米能级的变化和内建电势的变化保持一致,是由于电荷转移和内建电势的存在所引起的。它们之间的变化是为了维持PN结两侧的电势能平衡,并保持...
PN结有内建电势,所谓内建就不是外加的,是PN结本身就有的。先提第一个问题:为什么PN结会有内建电势呢?我们知道PN结住着一个空间电荷区,空间电荷区是怎么形成的?可动载流子扩散形成的。世间万物讲究平衡,对于P型区,带正电的空穴和带负电的受主离子是具有电平衡属性的,空穴浓度梯度的存在导致P区的空穴的扩...
在半导体器件中,pn结内建电势和正向导通压降之间存在着密切的关系。内建电势差是由杂质浓度差异所导致的,而正向导通压降是由内建电势和外加电压的综合作用所产生的。它们共同影响着pn结在正向导通状态下的电流大小和电压情况,对于半导体器件的性能起着至关重要的作用。在设计和应用半导体器件时,需要充分考虑内建电势和正...
内建电势,二极管理论乐章中最动听的旋律,没有之一。温度就是此乐章的节奏,时而欢快,时而悠长。 温度变,内建电势如何变? 先定量计算,感觉一下,以普通硅二极管为例,计算结果如下图。 图中变化趋势显著:温度升,电势降,成线性递减。具体一点,温度从0度升高到100度时,内建电势由0.65伏逐渐变小到0.41伏,变化率约为...
pn结内建电势和温度的关系 摘要: 1.PN 结内建电势的定义 2.温度对 PN 结内建电势的影响 3.PN 结内建电势和温度关系的实际应用 正文: 1.PN 结内建电势的定义 PN 结是半导体材料中电子和空穴浓度不同的两个区域之间的界面。当这两个区域接触时,由于电子和空穴的扩散,会在界面附近形成一个电荷分布区域,称...
11.试推导 pn结的内建电势差 V_D=(k_0T)/qln(N_AN_D)/(n_1^2)式中,k。为玻耳兹曼常数,T为热力学温度,q为电子电量,NA、Np分别为p型区和n型区杂质浓度,n1为本征载流子浓度)。 21.试推导 pn结的内建电势差V_D=(k_0T)/qln(N_AN_D)/(n_1^2)式中,k。为玻耳兹曼常数,T为热力学...
pn结内建电势与耗尽区的宽度-回复 PN结是一种常见的半导体器件,由p型和n型半导体材料所组成。当两种材料通过特殊处理相接触时,形成一个p-n结。在p-n结的内部,会出现一个特殊现象,即内建电势的形成和耗尽区的形成。 先来解释一下内建电势的概念。内建电势是指在静态状态下,p-n结的两侧由于材料性质的不同而...
【A科普】PN结篇—..众所周知,一般的书本上Vbi的公式有两个,是由突变结为标准推出,第一个是对内建电场作积分得到内建电势(也作扩散电势),对Vbi定义即源从此处,但是,加上耗尽区宽度的两个公式后我们发现了4个未知数,这阻