偏晶向(o001)si一面衬底上4H-SiC外延膜的生长研究 孙国胜,赵万顺,王雷,罗木昌,曾一平,李晋闽,孙殿照,林兰英 T re科学院半导体研究所北京100083 El=ai l。gshsunOred semi ac cn 擅要用低压化学沉积(LPCVID)方法在信向(11.20)方向8。的4H-SiC(000])Si-面村底上进行了4H-SiC的同质外珏生长・ 利用 Noma...
外延生长化学气相沉积(CVD)是微电子器件用SiC外延材料的主要生长技术.为了获得高质量的4H-SiC外延材料,在偏向方向8°的4H-SiC(0001)Si-面衬底上,利用台阶控制生长技术进行4H-SiC的同质外延生长.表面形貌是SiC外延材料质量好坏的一个重要参数,为此研究了表面形貌与工艺参数的关系,探讨了4H-SiC外延膜的表面缺陷形成...
实验 偏晶向衬底上(8J%;#的同质外延生长是在自制的高温%衬底材料是;#?&#aN 系统 上进行的$美国#方向-F99 研究公司生产的偏向/,,*+0i 的 j %面 6 型衬底$衬底的载流子浓度(8J%;##+++,%;J0,-.$为.m,面积 为,#+E1+11m,+11$+++,%%;J 面单面抛光 2 衬底的处理程序是)依次在三氯乙烯’丙酮...
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生长技术,为了获得高质量的4H-SiC外延材料,在影响<11-20>方向8°的4H-SiC(0001)Si-面衬底上,利用台阶控制生长技术进行了4H-SiC的同质外延生长,表面形貌是SiC外延材料的一个重要参数,为此研究了表面形貌与工艺参数的关系,探讨了4H-SiC外延膜的表面缺陷形成原因,利用Raman散射技术研究了非均匀4H-SiC外延材料的多...
用低压化学沉积(LPCVD)方法在偏向<11-20>方向8°的4H-SiC(0001)Si-面衬底上进行了4H-SiC的同质外延生长,利用Nomarski光学显微镜和原子力显微镜(AFM)研究了原生长4H-SiC外延膜的表面形貌.在450℃下熔融的KOH中经过6分钟腐蚀后,4H-SiC表面出现了六角形蚀坑,壳形蚀坑和蚀坑线,这三种蚀坑分别起因于平行于C-轴的...
外延生长Chemical vapor deposition (CVD) is the primary technique for the growth of SiC materials used to fabricate microelectronic devices.In order to obtain high quality 4H-SiC epilayers,homoepitaxial growth is performed on 8° off-axis toward 〈1120〉 4H-SiC(0001) Si-faced substrates,utilizing ...
偏晶向40000141Si-面衬底上4H-SiC的LPCVD外延生长 偏晶向(0001)Si-面衬底上4H-SiC的LPCVD外延生长,偏晶向(0001)Si-面衬底上4H-SiC的LPCVD外延生长,蓝宝石衬底,硅衬底,led蓝宝石衬底,pss衬底,led衬底,柔性衬底,氮化镓衬底,砷化镓衬底,图形化蓝宝石衬底,偏晶向(0001)Si-面衬底上4H-SiC的LPCVD外延生长 ...