2014年11月 JOURNALOFSYNTHETICCRYSTALSNovember,2014 檨檨檨檨檨檨檨殎 简报 高纯半绝缘 4H-SiC 单晶的生长 昆,陈秀芳,杨祥龙,彭燕,胡小波,徐现刚杨 (山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100) 摘要:使用物理气相传输方法(PVT)制备了直径为3英寸、非故意深能级杂质(如:钒)掺杂的半绝缘4H-SiC晶体。 使用二次...
1. 高纯半绝缘4H-SiC单晶研究进展 2. 高质量半绝缘Φ150mm 4H-SiC单晶生长研究 3. LPCVD法制备的高纯半绝缘4H-SiC晶体ESR谱特性 4. 4H-SiC材料中刃型位错的仿真模拟研究 5. 钒注入4H-SiC半绝缘特性的研究 6. 4H-SiC MESFET直流I-V特性解析模型 7. N型4H-SiC同质外延生长 8. 半绝缘6H-SiC...