体效应是指在MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）中，由于源极/漏极电压变化（或源衬电压Vsb变化）引起的电场变化，从而影响器件的电性能。有时也被称为“背栅效应”。产生原因：源极/漏极电压的变化导致MOS管内部电场分布发生变化，进而影响器件的阈值电压、导电性能等。阻变材料领域：体效应是指阻变材料薄膜...
上式反应了增大VSB会导致 Vt的增加,尽管VGS保持恒定的情况下也会增大ID 。换句话说,VBS同样能控制ID的大小,因此体极和栅极具有相同的控制ID的能力,这个效应称为体效应 。这里 γ 称为体效应参数。 MOS管体效应衬偏效应 当MOS管源端电势大于衬底电势(VS>VB )时,栅下面的表面层中将有更多的空穴被吸收到衬底上...
衬偏效应可以通过调整衬底电压来改变，以控制MOS管的导通和截止。体效应：由于掺杂浓度不同，导致不同区域的电势差不同，从而影响器件的电性能。主要是由于源极/漏极电压变化引起的电场变化导致的。体效应可以通过调整栅极电压来改变，以控制MOS管的导通和截止。两者的区别：衬偏效应是栅极电压变化引起的，而体效应是...
体效应 定义：体效应是指在MOSFET中，由于源极/漏极电压变化（或源衬电压Vsb变化）引起的电场变化，从而影响器件的电性能。有时也被称为“背栅效应”。产生原因：源极/漏极电压的变化导致MOS管内部电场分布发生变化，进而影响器件的阈值电压、导电性能等。衬偏效应 定义：衬偏效应是指在MOS管中，衬底与栅极之间的...
关于MOSFET的体效应(body-effect,衬底调制效应/衬偏效应),主要是来源于mos管的S-B(Source-Bulk)端之间的偏压对MOSFET阈值电压vth的影响:以NMOS为例,当晶体管的源端(Source)电势高于体端(Bulk)电势时,栅下面的表面层中将有更多的空穴被吸引到衬底,使耗尽层中留下的不能移动的负离子增多,耗尽层宽度增加,耗尽层中...
体效应对小信号模型的影响 \begin{gathered} \\g_{mb}=\frac{\partial I_{D}}{\partial V_{_{BS}}}=\mu_{n}C_{OX}\frac{W}{L}(V_{_{GS}}-V_{_{TH}})(\frac{-\partial V_{_{TH}}}{\partial V_{_{BS}}}) \\\ \frac{\partial V_{TH}}{\partial V_{_{BS}}}=\frac{-...
一、等离子体效应 - 等离子体定义 等离子体的产生 在激光焊接中，等离子体的产生通常遵循以下步骤：激光辐射：当高能量的激光束照射到工件表面时，它首先会加热表面，导致材料迅速蒸发。激光焊接一般都伴随一个火舌卷流（一缕缕喷出的火舌、黄光、蓝光、紫光都有），这个火舌即为常说的等离子体；等离子体定义：激光...
百度试题 题目什么是体效应?体效应会对电路产生什么影响?相关知识点: 试题来源: 解析 理想情况下是假设晶体管的衬底和源是短接的,实际上两者并不一定电位相同,当VB变得更负时,VTH增加,这种效应叫做体效应。体效应会改变晶体管的阈值电压。反馈 收藏
山体效应是指由于山体隆起,对山体本身及其周围环境造成的气候效应。下图为38°N科罗拉多落基山脉山体内外最热月气温10℃等温线分布高度图。据此完成下列4—6题。 4.图示结果说明,山体效应的表现为() A.焚风效应 B.降温效应 C.温室效应 D.增温效应 5.造成图示结果的直接原因是山体内部近地面大气() ...
Mosfet的体效应 分享一下个人知识点的总结 相信大家初次接触IC行业,不是一上手就是画版图,首先一定有一套学习资料甩给你,让你看个三五天,好一点的企业或有专业的培训团队提供教学视频和手把手带领;那最开始对于小白而言,或多或少会接触一些MOEFET的二级效应;那么就主要讲讲我对其中的体效应的个人理解和总结。