体效应是指在MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）中，由于源极/漏极电压变化（或源衬电压Vsb变化）引起的电场变化，从而影响器件的电性能。有时也被称为“背栅效应”。产生原因：源极/漏极电压的变化导致MOS管内部电场分布发生变化，进而影响器件的阈值电压、导电性能等。阻变材料领域：体效应是指阻变材料薄膜...
上式反应了增大VSB会导致 Vt的增加,尽管VGS保持恒定的情况下也会增大ID 。换句话说,VBS同样能控制ID的大小,因此体极和栅极具有相同的控制ID的能力,这个效应称为体效应 。这里 γ 称为体效应参数。 MOS管体效应衬偏效应 当MOS管源端电势大于衬底电势(VS>VB )时,栅下面的表面层中将有更多的空穴被吸收到衬底上...
衬偏效应可以通过调整衬底电压来改变，以控制MOS管的导通和截止。体效应：由于掺杂浓度不同，导致不同区域的电势差不同，从而影响器件的电性能。主要是由于源极/漏极电压变化引起的电场变化导致的。体效应可以通过调整栅极电压来改变，以控制MOS管的导通和截止。两者的区别：衬偏效应是栅极电压变化引起的，而体效应是...
一、等离子体效应 - 等离子体定义 等离子体的产生 在激光焊接中，等离子体的产生通常遵循以下步骤：激光辐射：当高能量的激光束照射到工件表面时，它首先会加热表面，导致材料迅速蒸发。激光焊接一般都伴随一个火舌卷流（一缕缕喷出的火舌、黄光、蓝光、紫光都有），这个火舌即为常说的等离子体；等离子体定义：激光...
关于MOSFET的体效应(body-effect,衬底调制效应/衬偏效应),主要是来源于mos管的S-B(Source-Bulk)端之间的偏压对MOSFET阈值电压vth的影响:以NMOS为例,当晶体管的源端(Source)电势高于体端(Bulk)电势时,栅下面的表面层中将有更多的空穴被吸引到衬底,使耗尽层中留下的不能移动的负离子增多,耗尽层宽度增加,耗尽层中...
体效应 定义：体效应是指在MOSFET中，由于源极/漏极电压变化（或源衬电压Vsb变化）引起的电场变化，从而影响器件的电性能。有时也被称为“背栅效应”。产生原因：源极/漏极电压的变化导致MOS管内部电场分布发生变化，进而影响器件的阈值电压、导电性能等。衬偏效应 定义：衬偏效应是指在MOS管中，衬底与栅极之间的...
山体效应是指由于山体隆起,对山体本身及其周围环境造成的气候效应。下图为38°N科罗拉多落基山脉山体内外最热月气温10℃等温线分布高度图。据此完成下列4—6题。 4.图示结果说明,山体效应的表现为() A.焚风效应 B.降温效应 C.温室效应 D.增温效应 5.造成图示结果的直接原因是山体内部近地面大气() ...
体效应(body effect) 当VS=0,VB<0时,更多的空穴从空间电荷区抽取到衬底,同时留下更多负电荷,导致耗尽层更宽,需要给更大的VGS形成反型层。这种效应称为体效应或者背栅效应。 VTH=ΦMS+2ΦF+Qdep0Cox+Qdep−Qdep0Cox=VTH0+γ(2ΦF+VSB−2ΦF) 为体效应系数由工艺决定y=1Cox2qεsiNsubγ为体效应...
解析 定义1:体效应是指在反应过程中的某个阶段(通常是决定性步骤)中由于空间结构拥挤而产生的一种效应这个效应与基团的大小有关定义2:超微粒体积小且所含原子少许多现象不能用通常会有无限个原子大体积的本体物性来解... 结果一 题目 电路中有体效应管,那什么是体效应啊? 答案 最佳答案 定义1:体效应是指在...
抑制等离子体效应方向(1)摆动焊接：激光加工头沿焊接方向来回左右摆动，在匙孔出现后等离子体形成以前，将光斑瞬时移至熔池的后缘或其他位置避开等离子体影响光路传输；(2)脉冲激光焊接：调整激光的脉冲和频率使激光的辐照时间小于等离子体的形成时间，是的激光总是能打在等离子体形成消散周期中的消散阶段，避免等离子体...