体效应公式 对于n沟道MOSFET，考虑体效应时的阈值电压V_TH的计算公式为：V_TH=V_TH0+γ(√(2ϕ_f + V_SB)-√(2ϕ_f))其中：V_TH0是源极和衬底短接（V_SB=0）时的阈值电压。γ是体效应系数，γ=frac{√(2qε_si)N_A}{C_ox}其中q是电子电荷量，ε_si是硅的介电常数，N_A是衬底的受...
PMOS体效应公式的表达式 PMOS体效应公式的表达式如下：I_D = K_p[(V_GS - V_T) V_DS - V_DS^2/2](1 + λV_DS)其中，I_D是PMOS的漏极电流，K_p是PMOS的常数，V_GS是PMOS的栅源电压，V_T是PMOS的阈值电压，V_DS是PMOS的漏极电压，λ是PMOS的漏极电流与漏极电压之间的关系。PMOS体效应公式...
上式反应了增大VSB会导致 Vt的增加,尽管VGS保持恒定的情况下也会增大ID 。换句话说,VBS同样能控制ID的大小,因此体极和栅极具有相同的控制ID的能力,这个效应称为体效应 。这里 γ 称为体效应参数。 MOS管体效应衬偏效应 当MOS管源端电势大于衬底电势(VS>VB )时,栅下面的表面层中将有更多的空穴被吸收到衬底上...
那么，这聊的是VSB还是VBS呢？分析时候是以S为基准电位还是B为基准电位得到不同结果嘛。如果以S为基准...
体效应系数与阈值电压关系的深入分析。阈值电压公式中各项含义。V_TH0是源衬短接（V_SB=0）时的阈值电压，它是MOSFET的一个基本参数，取决于器件的材料、结构和工艺等因素。在理想情况下，当源极和衬底之间没有电压差时，MOSFET开始导通所需要的栅极电压就是V_TH0 ϕ_F费米势ϕ_F=-(kT)/(q)ln(frac{N...