近日,三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产,这将有助于巩固其在NAND闪存市场的卓越地位。 “我们很高兴能推出三星首款第九代V-NAND,这将有机会推动未来应用的飞跃发展。”三星电子闪存产品与技术主管SungHoi Hur表示。“为了满足不断发展的NAND闪存解决方案需求,三星在这款产品的单元架构和运...
三星展示的第10代V-NAND属于1Tb的TLC闪存,总层数超过了400层,预计达到420层至430层,接口速度达5.6Gbps,大约是700 MB/s。同时位密度超过了28 Gb/mm²,仅略低于自家的1Tb 3D QLC V-NAND闪存,后者的密度为28.5 Gb/mm²,是目前世界上密度最高的非易失性存储器。位密度很可能不是三星这款新产品的主要目标,...
作为全球化的半导体企业,正如在2022年度闪存峰会和2022年度三星内存技术日上所承诺的,三星今日宣布,已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb(太字节)三比特单元(TLC)第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度,可为全球企业系统提供容量更大、密...
据悉,三星半导体近日宣布已成功实现第九代V-NAND1Tb TLC产品的量产,其单位面积内存储量较前代产品大幅提升了约50%。这一成绩得益于先进的通道孔蚀刻技术,大幅度提升了生产效率。 第九代V-NAND采用双堆叠设计,将旗舰版V8闪存原先的236层进一步增加至290层,主要应用于大型企业服务器及人工智能与云计算设备领域。 据...
近日,三星半导体宣布已顺利实现第九代V-NAND 1Tb TLC产品大规模生产,单芯片容量较前代提升近50%,同时通过新型通道孔蚀刻技术提升了生产效益。 作为九代V-NAND的核心技术,双重堆叠技术使旗舰V8闪存的层数从236层增至290层,主要应用于大型企业服务器及人工智能与云计算领域。据了解,三星计划于明年推出第十代NAND芯片...
对于第九代V-NAND闪存，我们更感兴趣的是其QLC类型。根据三星公开的信息，它的存储密度将比上代V7 QLC闪存提升80%以上，读取性能继续增长的同时，IO接口速度也将提升到和TLC类型相同的2400MT/s。半导体产业分析机构SemiAnalysis看衰QLC和PLC发展前景，认为逻辑缩放将受到每个存储状态电子数量的制约，推测三星V9 QLC的...
三星宣布，已开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品，为1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，达到了236...
今年4 月,三星证实已开始量产其 1 太比特 (Tb) 三层单元 (TLC) 第 9 代垂直 NAND (V-NAND),号称与之前的产品相比,位密度提高了约 50%。据媒体早前报道,第八代V-NAND,层数达到290层。 V-NAND(即垂直 NAND)是一种闪存,其中存储单元垂直堆叠,与传统平面 NAND 相比,显著提高了存储密度和可靠性。
9月15日消息，近日，三星电子宣布已开始量产其最新的NAND芯片——1Tb（太比特）四层单元（QLC）第九代垂直NAND（V-NAND）。三星官网 继今年4月首次量产9th-Gen TLC V-NAND之后，三星再次引领行业，推出更高存储密度的QLC解决方案。这项新技术允许每个存储单元存储4位数据，从而在物理芯片上实现更高的存储密度。三...
参数方面,这款固态硬盘采用 PCIe 4.0 x4 或 5.0 x2 标准、M.2 2280 外形,基于 V-NAND TLC 闪存,顺序读写速度达 5000/4200 MB/s,随机读写速度达 700k / 800k IOPS,还支持 AES 256-位加密。 虽然Pro 型号配备了 DDR4 RAM 缓存,但 Evo 型号似乎并未配备缓存。当然,这两款 SSD 定位有差距,例如 Pro...