主要有:俄歇电子能谱分析(AES)、X射线光电子能谱分析(XPS) 、紫外光电子能谱(UPS)。俄歇电子能谱法(AES)AES可以用于研究固体表面的能带结构、表面物理化学性质的变化(如表面吸附、脱附以及表面化学反应);用于材料组分的确定、纯度的检测、材料尤其是薄膜材料的生长等。 俄歇电子能谱(Auger Electron Spectrometry,简...
②微量、痕量成分的检测:TOF-SIMS ③数μm级微区分析:AES ④深度剖析:AES、XPS、TOF-SIMS ⑤无机物的整体分析:EDX;无机物的薄膜(多膜层)分析:AES、XPS、TOF-SIMS ⑥样品表面损伤:EDX和AES破坏较重,XPS较弱,TOF-SIMS接近无损 五、样品的注意事项 另外简单归纳了几点样品的注意事项,实际的样品要求还需要根据测...
AES主要用于分析金属和半导体等导电材料的表面成分和电子结构。AES的应用领域包括金属薄膜的表征、光伏器件的表面化学分析等。 综上所述,X射线光电子能谱(XPS)和反射能量损失光谱(AES)是两种常用的电子能谱分析方法。它们通过照射样品表面并测量逸出电子能谱来获取有关材料表面成分和电子结构的信息。XPS广泛应用于材料...
AES的状态分析是利用俄歇峰的化学位移,谱线变化(包括峰的出现或消失),谱线宽度和特征强度变化等信息。根据这些变化可以推知被测原子的化学结合状态。一般而言,由AES解释元素的化学状态比XPS更困难。实践中往往需要对多种测试方法的结果进行综合分析后才能作出正确的判断。 4. 深度剖面分析 利用AES可以得到元素在原子尺度...
AES的深度分析功能是AES最有用的分析功能,主要分析元素及含量随样品表面深度的变化。采用能量为500eV~5keV的惰性气体氩离子溅射逐层剥离样品,并用俄歇电子能谱仪对样品原位进行分析,测量俄歇电子信号强度I (元素含量)随溅射时间t(溅射深度)的关系曲线,这样就可以获得元素在样品中沿深度方向的分布。
电子能谱XPSAES【共169张PPT】电子能谱XPSAES X射线光电子能谱 X射线光电子能谱(XPS,X-rayPhotoelectronSpectroscopy)是一种基于光电效应的电子能谱,它是利用X射线光子激发出物质表面原子的内层电子,通过对这些电子进行能量分析而获得表面成分信息的一种能谱。2 XPS=ESCA这种谱仪早期取名为化学分析电子能谱 (...
XPS(X射线光电子能谱)和AES(Auger电子能谱)是两种常用的表面分析方法,它们在分析表面化学成分和结构方面都有着重要的应用。虽然它们都是利用电子能谱来获取样品表面信息,但在原理和应用上却有着一些不同之处。 首先,XPS是利用X射线来激发样品表面的电子,通过测量这些电子的能量和数量来分析样品表面的元素成分和化学...
组分、杂质原子能带结构} 俄歇电子能谱(AES){表面元素分析、结合能元素的原子价态、结合态} 真空紫外光电子能谱(UPS){电子结合能、电子结构} 电子能量损失谱(EELS){表面结构分析} X射线光电子能谱(XPS)用X射线做激发源去轰击样品,使原子或分子的内层电子受激发射出来,并直接测量二次电子的能量,这种能量...
1、AES具有很高的表面灵敏度,其采样深度为1~2nm,比XPS还要浅。更适合于表面元素定性和定量分析。 2、AES还具有很强的深度分析和界面分析能力。其深度分析速度比XPS要快得多,深度分析的深度分辨率也比XPS的深度分析高得多。常用来进行薄膜材料的深度剖析和界面分析。
AES是用具有一定能量的电子束(或X射线)轰击样品表面激发俄歇效应,与XPS不同的是,俄歇电子并不是直接被电子束打出的电子,而是将样品内原子的内层电子击出,使原子处于高能的激发态。外层电子跃迁到内层的电子空位,同时以两种方式释放能量:发射特征X射线;或引起另一外层电子电离,使其以特征能量射出固体样品表面,此即俄...